（四）倒角的影響

正常情況下，如果都是同樣面積156*156 的硅片，同樣的加工費在一張電池片單晶可以輕松的做出比多晶多出不少的峰瓦值。但是單晶要倒角，所以同樣是156*156 的硅片，單晶的面積要小一些。單晶面積是23800-23900 平方毫米，而多晶正常水平是24336±1 平方毫米，取單晶最小面積是23800 平方毫米，單晶面積：多晶面積=0.977975，多晶面積：單晶面積=1.022521。

下表中第一列是單晶的轉(zhuǎn)換效率，第一行是多晶的轉(zhuǎn)換效率。主表數(shù)據(jù)為電池瓦數(shù)比。計算方法：電池瓦數(shù)比=多晶轉(zhuǎn)換率*多晶面積/（單晶轉(zhuǎn)換率*單晶面積），本表可以對比到最終組件，但是要考慮單晶和多晶的封裝損耗是有差異的。
 

從表中可以看出，電池瓦數(shù)比小于1 時說明同一張硅片單晶要比多晶的瓦數(shù)要多，只要單晶比多晶的轉(zhuǎn)換效率高0.5%，就可以保持住瓦數(shù)優(yōu)勢。正常情況下，單晶和多晶如果同時做到一樣的瓦數(shù)的電池片，兩者的成本差在0.2 元/片左右，這是無法消除硅片間的價格差，也無法消除兩者的硅錠的加工差的。

所以未來的競爭同樣面積的組件單晶最好能比多晶高出5%-10%，而電池轉(zhuǎn)換效率的提升是和成本相關，在此不做詳細討論。