新的太陽能技術(shù)正在不斷地改進(jìn)它們的技術(shù)表現(xiàn)、降低成本和增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，以爭(zhēng)取在取代傳統(tǒng)晶硅太陽能的戰(zhàn)斗中處于領(lǐng)先地位。在最新出版的全球太陽能技術(shù)和市場(chǎng)報(bào)告《追逐太陽：尋找未來的太陽能技術(shù)》中，Innova Research對(duì)超過10000個(gè)過去五年（2010 – 2014）間提交的全球太陽能技術(shù)專利進(jìn)行了深入的分析。結(jié)果顯示，銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能技術(shù)和聚光光伏（CPV）在所有的新太陽能技術(shù)專利競(jìng)爭(zhēng)中處于領(lǐng)先的地位。除了 CIGS和CPV，此報(bào)告涵蓋的新太陽能技術(shù)還包括CdTe（碲化鉻）, TF-Si （薄膜硅）和有機(jī)光伏（OPV），銅鋅錫硫（CZTS），燃料敏化太陽能電池（DSSC），鈣鈦礦結(jié)構(gòu)太陽能電池（perovskite PV）和量子點(diǎn)太陽能電池（QD）等第三代太陽能技術(shù)。

在全球太陽能技術(shù)專利趨勢(shì)方面，這個(gè)報(bào)告的主要發(fā)現(xiàn)還包括以下幾點(diǎn)：

- 從2010年到2014 年間，全球新太陽能技術(shù)專利申請(qǐng)以24%的復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）快速增長(zhǎng)。其中，CIGS和CPV技術(shù)專利的申請(qǐng)量的復(fù)合增長(zhǎng)率均接近30%，在所有新太陽能技術(shù)中占據(jù)領(lǐng)先地位。

- 薄膜硅（TF-Si）正在失去太陽能業(yè)界的關(guān)注；從2012年開始，薄膜硅太陽能領(lǐng)域里的專利申請(qǐng)量就開始不斷下降。這主要與薄膜硅模組至今難以突破10%的轉(zhuǎn)化效率有關(guān)。

- 第三代太陽能技術(shù)，比如OPV、DSSC和QD的專利申請(qǐng)量得到突破性的增長(zhǎng)。2012年，這三種太陽能技術(shù)領(lǐng)域的專利申請(qǐng)量均突破300項(xiàng)。

- 在新太陽能技術(shù)專利申請(qǐng)上，美國(guó)、中國(guó)、日本和韓國(guó)處于領(lǐng)先地位，不過每個(gè)國(guó)家聚焦在不同的新太陽能技術(shù)。美國(guó)的專利大多集中在比較接近大規(guī)模商業(yè)應(yīng)用的太陽能技術(shù)領(lǐng)域，包括CdTe, CIGS和CZTS。中國(guó)的大學(xué)和韓國(guó)的研究所則比較關(guān)注于新崛起的第三代太陽能技術(shù)，比如DSS， perovskite 和QD。而在日本，新太陽能技術(shù)專利主要集中在大的跨國(guó)公司手里，這些公司包括夏普、豐田、京瓷和富士膠卷等等。

- 在技術(shù)發(fā)展的不同階段，新專利所解決的主要問題是不同的。比如，在比較成熟的薄膜太陽能和聚光太陽能領(lǐng)域，專利的主要研究領(lǐng)域是尋找替代昂貴的材料和生產(chǎn)設(shè)備的方法，以達(dá)到降低成本的目的；相反，在相對(duì)不太成熟的第三代太陽能技術(shù)領(lǐng)域，專利主要聚焦提高轉(zhuǎn)化效率和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。轉(zhuǎn)化效率和穩(wěn)定性是新的太陽能技術(shù)未來得到大規(guī)模應(yīng)用的前提條件。

另外，此報(bào)告還從成本減少潛力、大規(guī)模商業(yè)應(yīng)用潛力、行業(yè)并購等不同的角度對(duì)上面提到的新的太陽能技術(shù)進(jìn)行全面的評(píng)估。Innova Research研究總監(jiān)吳穎蘭博士指出：“薄膜太陽能和聚光太陽能已經(jīng)做好了大規(guī)模商業(yè)應(yīng)用的準(zhǔn)備，而第三代太陽能技術(shù)離大規(guī)模商業(yè)應(yīng)用目標(biāo)還有比較長(zhǎng)的距離。在所有的新太陽能技術(shù)中，我們相信CIGS薄膜太陽能和高聚光光伏（HCPV）會(huì)成為新太陽能技術(shù)的贏家，這主要得益于這兩項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)秀的成本下降和大規(guī)模商業(yè)應(yīng)用潛力。”