“建議國家高度重視IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展，支持國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)開展以IGBT為代表的功率芯片及其器件的研究開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。”

全國人大代表、湖南省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)主任謝超英在接受《中國電子報(bào)》記者專訪時(shí)說，他向大會(huì)提出了加快IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議，建議國家高度重視IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

IGBT應(yīng)用需求巨大

我國IGBT消費(fèi)市場目前的規(guī)模約80億元，到2020年可能達(dá)到300億元的規(guī)模。

謝超英向《中國電子報(bào)》記者介紹說，IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，為世界公認(rèn)的電力電子第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”。

近年來，隨著國民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體技術(shù)已被廣泛應(yīng)用。“目前，中國是世界上最大的功率半導(dǎo)體器件消費(fèi)國，但作為產(chǎn)業(yè)鏈高端的功率芯片則全部依賴進(jìn)口，這勢必影響國民經(jīng)濟(jì)的安全、可持續(xù)發(fā)展。建議國家高度重視IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展，支持國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)開展以IGBT為代表的功率芯片及其器件的研究開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。”

謝超英對記者說，我國IGBT技術(shù)取得了一定突破，應(yīng)用需求巨大。IGBT芯片技術(shù)方面，中國南車建成全球第二條、國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產(chǎn)線，去年成功實(shí)現(xiàn)首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術(shù)方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由國外公司提供，國產(chǎn)IGBT芯片年產(chǎn)值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場，市場潛力巨大。其中，我國IGBT消費(fèi)市場目前約80億元的規(guī)模，到2020年可能達(dá)到300億元的規(guī)模。

在謝超英看來，我國IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展制約因素較多，亟待突破。一是沒有形成創(chuàng)新體系，二是缺乏完整的生產(chǎn)線，三是配套產(chǎn)業(yè)薄弱，關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化已成為我國IGBT產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一大制約因素。

出臺扶持政策加快產(chǎn)業(yè)化

建議國家出臺扶持政策，依托優(yōu)勢企業(yè)，推進(jìn)IGBT產(chǎn)業(yè)化并形成規(guī)模優(yōu)勢。

謝超英說，IGBT作為電能變換的關(guān)鍵部件，是現(xiàn)代科學(xué)、工業(yè)和國防的重要核心技術(shù)。為盡快改變我國功率半導(dǎo)體芯片基本依賴進(jìn)口的局面，他建議國家出臺扶持政策，依托國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)，通過示范和引導(dǎo)，大力推進(jìn)我國IGBT產(chǎn)業(yè)化并形成規(guī)模優(yōu)勢。

一是設(shè)立國家重大科技專項(xiàng)支持IGBT技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。建議設(shè)置功率半導(dǎo)體重大專項(xiàng)，支持IGBT等功率器件技術(shù)升級與產(chǎn)業(yè)拓展。探索IGBT研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的“后補(bǔ)助”政策，通過“事前申報(bào)、事后認(rèn)定”的方式給予IGBT科技創(chuàng)新主體經(jīng)費(fèi)補(bǔ)助，推進(jìn)IGBT技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，加速科技成果產(chǎn)業(yè)化。

二是鼓勵(lì)與支持國產(chǎn)IGBT器件的進(jìn)口替代及應(yīng)用推廣，以器件應(yīng)用拉動(dòng)IGBT產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。同時(shí)，對軌道交通、新能源、電動(dòng)汽車、家電等IGBT主要應(yīng)用領(lǐng)域提供政策性補(bǔ)貼，通過政府采購、節(jié)能工程、示范工程等政策，加快推動(dòng)國產(chǎn)IGBT應(yīng)用的多點(diǎn)突破，加強(qiáng)器件、系統(tǒng)、裝置與應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈的合作。

三是建設(shè)國家級創(chuàng)新平臺培育IGBT產(chǎn)業(yè)集群。建議以中國南車建設(shè)的國內(nèi)首條8英寸IGBT生產(chǎn)線為基礎(chǔ)，建設(shè)功率半導(dǎo)體國家級科技創(chuàng)新平臺，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展。依托中國南車等優(yōu)勢企業(yè)建立IGBT芯片基地和IGBT應(yīng)用產(chǎn)業(yè)基地，匯聚功率器件上下游產(chǎn)業(yè)，形成國內(nèi)首個(gè)國產(chǎn)IGBT千億元產(chǎn)業(yè)基地，示范和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

四是出臺稅收等政策支持IGBT國產(chǎn)化。對于成熟的國產(chǎn)IGBT制造企業(yè)持續(xù)性投入，予以項(xiàng)目資金支持，減免銷售收入增值稅，并逐步提高進(jìn)口IGBT的關(guān)稅，減輕國產(chǎn)IGBT的市場價(jià)格競爭壓力，促進(jìn)我國IGBT產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。