近日，裝有首批8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平，標(biāo)志著由中國南車株洲所下屬公司南車時(shí)代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。

作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。但是，國內(nèi)IGBT技術(shù)起步較晚，受制于人，發(fā)展艱難而緩慢。國內(nèi)大功率IGBT市場因此一直被國外公司壟斷。

早在二十世紀(jì)六十年代初，中國南車株洲所就依靠自己的力量，培養(yǎng)了我國最早的半導(dǎo)體器件研發(fā)隊(duì)伍。改革開放后，中國南車株洲所從美國西屋公司引進(jìn)一條3英寸大功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，從而走上了一條自主開發(fā)和吸收引進(jìn)相結(jié)合的道路。通過消化和吸收，中國南車株洲所逐步追趕世界先進(jìn)水平，并先后成功研制出5英寸系列普通晶閘管和整流管及世界上第一只6英寸晶閘管。

2008年，中國南車株洲所下屬的南車時(shí)代電氣成功并購英國丹尼克斯半導(dǎo)體公司，以“資金”換“時(shí)間”，實(shí)現(xiàn)了在IGBT領(lǐng)域的第一次跨越。經(jīng)過長達(dá)4年的技術(shù)消化、吸收與再創(chuàng)新，2012年5月，中國南車株洲所在株洲投資15億元，建設(shè)國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線，并于2014年6月正式投產(chǎn)。

芯片下線后，該公司科研團(tuán)隊(duì)持續(xù)推動(dòng)自主IGBT芯片的應(yīng)用考核。今年10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗(yàn)，并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號線的城軌車輛。

此次試運(yùn)行的IGBT模塊，由南車時(shí)代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測試的整套技術(shù)均在公司研制和生產(chǎn)。此次成功試運(yùn)行，拉開了國產(chǎn)8英寸IGBT芯片應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域的序幕，打破了國際壟斷。