日本的產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所太陽能發(fā)電研究中心在太陽能電池技術(shù)相關(guān)會議“第5屆成果報告會”（2009年6月22日～23日）上宣布，采用80～100μm厚度的薄硅晶圓制造的單晶硅型太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率達到了15.9～17.3％。

　　該單元的電極采用網(wǎng)印以及名為“兩面同時燒結(jié)工藝”制作而成。2cm見方、100μm厚的硅單元的發(fā)電能力方面，效率為17.3％，開放電壓為0.617V，短路電流為35.5mA/cm2，F(xiàn)F為0.789。2cm見方、80μm厚的單元的效率為15.9％，開放電壓為0.614V，短路電流為32.8mA/cm2，F(xiàn)F為0.792。

　　原來有觀點認為，如果將硅晶圓的厚度減至目前這種程度，轉(zhuǎn)換效率也會大幅下降，但該中心通過改進基于表面凹凸加工的光密封技術(shù)及工藝，確保了較高的轉(zhuǎn)換效率。其中，100μm厚太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率與產(chǎn)綜研用于比較的180μm厚太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率幾乎相當。

　　此次產(chǎn)綜研還介紹，100μm厚多晶硅型單元的轉(zhuǎn)換效率達到了最初預測的數(shù)值，即約為15％?！坝捎诙嗑Ч杈A含有晶界等，因此與單晶硅相比，更難實現(xiàn)薄型化”（該中心結(jié)晶硅小組負責人坂田功）。

　　數(shù)十μm的硅晶圓一般情況下很容易破碎，不宜搬運。為了解決這一問題，產(chǎn)綜研“在德國還開發(fā)出了30μm厚晶圓的處理裝置，所以搬運不存在大問題”（該中心）。（記者：野澤 哲生）