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中科院化學(xué)所在有機超高密度信息存儲材料研究領(lǐng)域取得新進展

   2013-01-06 世紀(jì)新能源網(wǎng)158490
核心提示:世紀(jì)新能源網(wǎng)消息:近日,中科院化學(xué)所在有機超高密度信息存儲材料研究領(lǐng)域取得新進展:具有強電子給受體結(jié)構(gòu)的有機功能材料往往具有獨

世紀(jì)新能源網(wǎng)消息:近日,中科院化學(xué)所在有機超高密度信息存儲材料研究領(lǐng)域取得新進展:具有強電子給受體結(jié)構(gòu)的有機功能材料往往具有獨特的光電性能,并可以通過給受體基團的控制實現(xiàn)對分子能級的有效調(diào)節(jié)。近年來針對給-受體型電荷轉(zhuǎn)移分子在有機存儲器件、太陽能電池、場效應(yīng)晶體管等領(lǐng)域的研究受到廣泛關(guān)注。

在國家自然科學(xué)基金委、科技部和中國科學(xué)院的支持下,化學(xué)所有機固體和新材料實驗室的科研人員從分子設(shè)計的角度出發(fā),研究制備了一系列具有強電子給、受體的有機分子,通過調(diào)控給、受體在分子骨架中的位置,發(fā)現(xiàn)不同的分子結(jié)構(gòu)對存儲器件開關(guān)比及讀寫可逆性等存儲關(guān)鍵性質(zhì)具有重要影響 (J. Am. Chem. Soc.2007, 129, 11674;Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 803-810)。他們對這類具有電子給-受體型有機分子及高分子的信息存儲特性及器件開展了系統(tǒng)研究(J. Phys. Chem. C 2009, 113, 8548-8552;Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 163309; Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 213305;Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 253304),并應(yīng)邀撰寫Future Article (J. Mater. Chem., 2011, 21, 3522–3533) 和出版了專著(High Density Data Storage: Principle, Technology and Materials, World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 2009)。

在以上研究工作基礎(chǔ)上,他們與北京大學(xué)裴堅教授等合作,設(shè)計合成了一類包含三聚茚及三苯胺的新型電荷轉(zhuǎn)移分子薄膜存儲體系。研究了光電協(xié)同效應(yīng)對給-受體型的電荷轉(zhuǎn)移分子的存儲性能的影響。實驗結(jié)果表明光電協(xié)同效應(yīng)能夠有效提高納米尺度信息存儲的開關(guān)比。進一步利用掃描隧道顯微技術(shù)成功寫入納米尺度的信息點,并可通過調(diào)控外光場、掃描偏壓等存儲參數(shù),實現(xiàn)對信息點顯現(xiàn)和隱藏的可逆操縱。這一結(jié)果為設(shè)計高信噪比信息存儲材料和信息加密器件提供了新思路,相關(guān)工作被選為J. Mater. Chem.雜志 “Organic Optoelectronic Materials” 特別專輯的封面論文 (J. Mater. Chem., 2012, 22, 4299-4305,圖1)。

 

圖1. J. Mater. Chem.Organic Optoelectronic Materials”專輯的封面

除了利用STM技術(shù)實現(xiàn)納米尺度超高密度信息存儲外,探索提高單個存儲單元的存儲維度,也是實現(xiàn)高密度信息存儲的重要發(fā)展方向。最近,他們利用這一類新型電荷轉(zhuǎn)移分子,構(gòu)筑了三明治型結(jié)構(gòu)的存儲器件,并利用光電協(xié)同作用實現(xiàn)了多位信息存儲(圖2)。在暗條件下,存儲器件具有高低電導(dǎo)態(tài)之間寫-讀-擦的雙穩(wěn)態(tài)存儲性能;而在紫外光照射協(xié)同作用下,掃描電流電壓曲線過程會出現(xiàn)一個存儲中間電導(dǎo)態(tài)(圖3)。光電協(xié)同的作用可以使存儲器件在“0,1,2”三種電導(dǎo)狀態(tài)間相互轉(zhuǎn)變,從而實現(xiàn)了多比特高密度信息存儲的性能。他們還與帥志剛教授等合作,系統(tǒng)地討論了實現(xiàn)多比特存儲的機理,為未來新型存儲材料的發(fā)展提供了思路和基礎(chǔ)。有關(guān)工作發(fā)表在近日的美國化學(xué)會志上 (J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 20053–20059)。

 

圖2 利用光電協(xié)同作用實現(xiàn)多位信息存儲器件在“0,1,2”三態(tài)之間轉(zhuǎn)變示意圖

 

圖3 存儲器件I-V特性曲線:(a)暗條件下雙穩(wěn)態(tài)的寫-讀-擦的存儲性能;(b) 紫外光照下存儲器件的I-V曲線出現(xiàn)一個中間電導(dǎo)狀態(tài)。

 
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