本周隨著特斯拉在國(guó)內(nèi)悄然發(fā)布六座版ModelYL,正式進(jìn)軍六座市場(chǎng)，看起來(lái)似乎比國(guó)內(nèi)造車新勢(shì)力晚一步，卻也引發(fā)一片市場(chǎng)聲音。毫無(wú)疑問(wèn)，這將意味著下半年開始中國(guó)新能源造車新勢(shì)力將面臨新一輪洗牌時(shí)刻。

反觀今年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的需求穩(wěn)步增長(zhǎng)，無(wú)非得益于兩方面：除了消費(fèi)電子行業(yè)在今年Q1明顯復(fù)蘇外；最主要的就是高端的汽車電子、AI帶動(dòng)的高性能計(jì)算及高速通信等需求，給產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。

汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)空間巨大，尤其是隨著汽車行業(yè)電子化程度的提高，汽車芯片的需求量快速增長(zhǎng)。國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）預(yù)計(jì)，隨著高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、電動(dòng)汽車（EV）和車聯(lián)網(wǎng)（IoV）的日益普及，汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模到 2027 年將超過(guò) 880 億美元。而根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，2024 年全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為 684 億美元。這意味未來(lái)三年全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)近 29%。

圖片來(lái)源：IDC

中國(guó)汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)增速更為可觀。據(jù)悉，2024 年中國(guó)汽車芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 1200 億元，預(yù)計(jì) 2030 年突破 3000 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超 25%。增長(zhǎng)主要源于：新能源汽車滲透率提升至40%，帶動(dòng)功率芯片需求；L2級(jí)以上智能駕駛滲透率超50%，推動(dòng)主控芯片需求；智能座艙普及率超60%，拉動(dòng)存儲(chǔ)和模擬芯片需求。

推薦品牌

英飛凌|安世|捷捷微|瞻芯

英飛凌（Infineon）

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域是毋庸置疑的佼佼者，也是領(lǐng)先的功率系統(tǒng)創(chuàng)新者，旗下產(chǎn)品涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵的功率、驅(qū)動(dòng)器、微處理器和軟件解決方案。

安世（Nexperia）

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

捷捷微（JJW）

在晶閘管和防護(hù)器件領(lǐng)域絕對(duì)的國(guó)內(nèi)龍頭地位和深厚技術(shù)積累；強(qiáng)大的本土客戶基礎(chǔ)和國(guó)產(chǎn)替代浪潮下的受益地位。

瞻芯（Inventchip）

聚焦碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域；是國(guó)內(nèi)第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司。

唯樣優(yōu)勢(shì)：

現(xiàn)貨庫(kù)存13萬(wàn)+，支持免費(fèi)樣品申請(qǐng)

原廠授權(quán)，產(chǎn)品質(zhì)量有保障

而在新能源與高頻電子需求驅(qū)動(dòng)下，二極管和三極管技術(shù)也迎來(lái)結(jié)構(gòu)性升級(jí)。傳統(tǒng)硅基器件持續(xù)優(yōu)化，第三代半導(dǎo)體加速滲透，共同重塑產(chǎn)業(yè)格局。

材料革命：SiC/GaN顛覆性能邊界

碳化硅（SiC）肖特基二極管憑借零反向恢復(fù)損耗和耐高溫特性，在電動(dòng)汽車電驅(qū)、光伏逆變器中快速替代硅基快恢復(fù)二極管（FRD），2023年車規(guī)市場(chǎng)滲透率激增超50%。從市場(chǎng)滲透率來(lái)看，碳化硅功率半導(dǎo)體在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中的占比已從2020年的1.3%增至2024年的4.9%，并預(yù)計(jì)在2029年達(dá)到17.1%。

圖片來(lái)源：未來(lái)智庫(kù)

氮化鎵（GaN）則主導(dǎo)650V以下高頻場(chǎng)景，手機(jī)快充采用GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）后，功率密度提升3倍，適配器體積縮小50%。硅基IGBT與MOSFET通過(guò)微溝槽柵技術(shù)（第7代IGBT）和超結(jié)結(jié)構(gòu)（SJ-MOSFET）延續(xù)生命力，但SiC MOSFET已在1700V高壓領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)效率5-10%的提升，成為特斯拉等車企電驅(qū)核心。

封裝創(chuàng)新：功率密度的關(guān)鍵突破

為匹配高頻高溫需求，雙面散熱封裝（如英飛凌.XT）和銀燒結(jié)工藝將散熱效率提高40%，耐溫能力突破175℃。小型化趨勢(shì)推動(dòng)DFN5x6、晶圓級(jí)封裝（WLCSP）在消費(fèi)電子普及，IPM智能模塊則整合驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，使工業(yè)控制系統(tǒng)體積縮減30%。

推薦品牌

羅姆|威世

羅姆（ROHM）

第三代半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者，全球少數(shù)實(shí)現(xiàn) SiC“襯底-外延-器件-模塊”垂直整合 的IDM廠商，掌握關(guān)鍵晶圓生長(zhǎng)技術(shù)，車規(guī)級(jí)SiC MOSFET市占率超20%（2023年），供貨日產(chǎn)、本田、吉利等車企，性能比硅基IGBT提升5-10%系統(tǒng)效率。

威世（Vishay）

車規(guī)級(jí)可靠性全球領(lǐng)先，超快恢復(fù)二極管標(biāo)桿→ TMBS（溝槽勢(shì)壘肖特基）二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）低至4ns（競(jìng)品普遍>10ns），用于5G基站電源效率提升3%。業(yè)界最高浪涌耐受：→ FRED Pt超快二極管抗浪涌電流達(dá)600A（TO-220封裝）。

唯樣優(yōu)勢(shì)：

100%原廠正品現(xiàn)貨速發(fā)

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