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2011年太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)由買(mǎi)方強(qiáng)烈主導(dǎo)市場(chǎng)，對(duì)太陽(yáng)能產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換效率要求，更是前所未見(jiàn)逐季加速上推，實(shí)力之戰(zhàn)讓業(yè)者積極朝更高領(lǐng)域規(guī)劃，其中又以三洋為代表的HIT 、Sunpower為代表的IBC，及荷蘭能源研究中心(ECN)提供技轉(zhuǎn)的MWP，為目前最受矚目的研發(fā)及投產(chǎn)方向之一，太陽(yáng)能業(yè)者表示，這些技術(shù)挑戰(zhàn)性高，若能有效量產(chǎn)且成本競(jìng)爭(zhēng)力足，就能領(lǐng)先插旗，成為下世代太陽(yáng)能新盟主。
2011年太陽(yáng)光電產(chǎn)業(yè)受到供過(guò)于求問(wèn)題難除影響，由買(mǎi)方強(qiáng)烈主導(dǎo)市場(chǎng)，不但強(qiáng)勢(shì)要求降價(jià)，對(duì)轉(zhuǎn)換效率的要求更以前所未有的速度逐季上推，第2季效率約在16.4%、第3季達(dá)16.6%、第4季達(dá)16.8%，預(yù)估2012年從17%開(kāi)始起跳，高效率的要求被太陽(yáng)能業(yè)者視為實(shí)力之戰(zhàn)，無(wú)能力達(dá)成者恐將快速被淘汰。
單晶產(chǎn)品因效率表現(xiàn)較目前主流多晶來(lái)得高，在效率要求快速提升之際，單晶高效產(chǎn)品被視為可望成為下階段太陽(yáng)能主流產(chǎn)品，包括以日本三洋為代表的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)、Sunpower的背接觸型太陽(yáng)能電池(Interdigitated Back Contact；IBC)及荷蘭ECN所提供技轉(zhuǎn)的金屬貫穿式背電極結(jié)構(gòu)(Metal Wrap Through；MWT)，是目前諸多業(yè)者積極研究投入的新領(lǐng)域。
太陽(yáng)能業(yè)者表示，這3個(gè)技術(shù)對(duì)業(yè)者而言耳熟能詳，但投入者必須考量到每瓦設(shè)備成本、技術(shù)區(qū)隔、專利回避，更重要的是，有效投入量產(chǎn)后，每瓦總成本是否具競(jìng)爭(zhēng)力。雖然這些技術(shù)在國(guó)際上早具有代表性的量產(chǎn)廠，但因制程相對(duì)復(fù)雜，成本難與主流多晶產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)，早期被視為只能提升技術(shù)名聲，難落實(shí)競(jìng)爭(zhēng)；但2011年在多晶產(chǎn)品嚴(yán)重供過(guò)于求、殺聲遍野后，技術(shù)、資金門(mén)檻挑戰(zhàn)高的高效單晶，反而被視為長(zhǎng)期來(lái)看最有機(jī)會(huì)突破重圍、改朝換代的利器。
這3項(xiàng)技術(shù)所創(chuàng)造的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率最高約在20~23%之間，一旦有業(yè)者成功量產(chǎn)且成本具競(jìng)爭(zhēng)力，太陽(yáng)光電市場(chǎng)恐將面臨快速改朝換代的沖擊，這也是諸多國(guó)內(nèi)外設(shè)備大廠積極布局的領(lǐng)域，期望再創(chuàng)太陽(yáng)光電另一波新高峰。
太陽(yáng)能業(yè)者分析，這3項(xiàng)技術(shù)大體來(lái)說(shuō)都是透過(guò)電池結(jié)構(gòu)性的改造，主要概念即是讓正面吸光達(dá)到最大，所以，正面的任何擋光因素都會(huì)被規(guī)劃去除，再者即是讓光出不去，這個(gè)概念可望受到市場(chǎng)趨勢(shì)影響而快速被導(dǎo)入。
至于采用何種方法達(dá)到目的就各憑本事，尤其電池結(jié)構(gòu)的自我設(shè)計(jì)及創(chuàng)新則是未來(lái)長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵，而且還必須與設(shè)備業(yè)者做技術(shù)競(jìng)賽，最該關(guān)注就是異業(yè)切入的新業(yè)者、以不同的技術(shù)思維來(lái)挑戰(zhàn)久未突破的歷史技術(shù)。
由于制程復(fù)雜度相對(duì)高，目前單晶高效電池結(jié)構(gòu)改造領(lǐng)域，其實(shí)還沒(méi)有真正得以綜橫天下的代表性廠，主要即成本關(guān)鍵被認(rèn)為未真正突破，這也使部分太陽(yáng)能業(yè)者預(yù)估，3年內(nèi)難見(jiàn)該領(lǐng)域有明顯突破；不過(guò)在市場(chǎng)積極轉(zhuǎn)型及企圖心旺盛的新進(jìn)者積極規(guī)劃投入下，也有部分業(yè)者認(rèn)為，突破的時(shí)間指日可待。
2011年太陽(yáng)光電產(chǎn)業(yè)受到供過(guò)于求問(wèn)題難除影響，由買(mǎi)方強(qiáng)烈主導(dǎo)市場(chǎng)，不但強(qiáng)勢(shì)要求降價(jià)，對(duì)轉(zhuǎn)換效率的要求更以前所未有的速度逐季上推，第2季效率約在16.4%、第3季達(dá)16.6%、第4季達(dá)16.8%，預(yù)估2012年從17%開(kāi)始起跳，高效率的要求被太陽(yáng)能業(yè)者視為實(shí)力之戰(zhàn)，無(wú)能力達(dá)成者恐將快速被淘汰。
單晶產(chǎn)品因效率表現(xiàn)較目前主流多晶來(lái)得高，在效率要求快速提升之際，單晶高效產(chǎn)品被視為可望成為下階段太陽(yáng)能主流產(chǎn)品，包括以日本三洋為代表的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)、Sunpower的背接觸型太陽(yáng)能電池(Interdigitated Back Contact；IBC)及荷蘭ECN所提供技轉(zhuǎn)的金屬貫穿式背電極結(jié)構(gòu)(Metal Wrap Through；MWT)，是目前諸多業(yè)者積極研究投入的新領(lǐng)域。
太陽(yáng)能業(yè)者表示，這3個(gè)技術(shù)對(duì)業(yè)者而言耳熟能詳，但投入者必須考量到每瓦設(shè)備成本、技術(shù)區(qū)隔、專利回避，更重要的是，有效投入量產(chǎn)后，每瓦總成本是否具競(jìng)爭(zhēng)力。雖然這些技術(shù)在國(guó)際上早具有代表性的量產(chǎn)廠，但因制程相對(duì)復(fù)雜，成本難與主流多晶產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)，早期被視為只能提升技術(shù)名聲，難落實(shí)競(jìng)爭(zhēng)；但2011年在多晶產(chǎn)品嚴(yán)重供過(guò)于求、殺聲遍野后，技術(shù)、資金門(mén)檻挑戰(zhàn)高的高效單晶，反而被視為長(zhǎng)期來(lái)看最有機(jī)會(huì)突破重圍、改朝換代的利器。
這3項(xiàng)技術(shù)所創(chuàng)造的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率最高約在20~23%之間，一旦有業(yè)者成功量產(chǎn)且成本具競(jìng)爭(zhēng)力，太陽(yáng)光電市場(chǎng)恐將面臨快速改朝換代的沖擊，這也是諸多國(guó)內(nèi)外設(shè)備大廠積極布局的領(lǐng)域，期望再創(chuàng)太陽(yáng)光電另一波新高峰。
太陽(yáng)能業(yè)者分析，這3項(xiàng)技術(shù)大體來(lái)說(shuō)都是透過(guò)電池結(jié)構(gòu)性的改造，主要概念即是讓正面吸光達(dá)到最大，所以，正面的任何擋光因素都會(huì)被規(guī)劃去除，再者即是讓光出不去，這個(gè)概念可望受到市場(chǎng)趨勢(shì)影響而快速被導(dǎo)入。
至于采用何種方法達(dá)到目的就各憑本事，尤其電池結(jié)構(gòu)的自我設(shè)計(jì)及創(chuàng)新則是未來(lái)長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵，而且還必須與設(shè)備業(yè)者做技術(shù)競(jìng)賽，最該關(guān)注就是異業(yè)切入的新業(yè)者、以不同的技術(shù)思維來(lái)挑戰(zhàn)久未突破的歷史技術(shù)。
由于制程復(fù)雜度相對(duì)高，目前單晶高效電池結(jié)構(gòu)改造領(lǐng)域，其實(shí)還沒(méi)有真正得以綜橫天下的代表性廠，主要即成本關(guān)鍵被認(rèn)為未真正突破，這也使部分太陽(yáng)能業(yè)者預(yù)估，3年內(nèi)難見(jiàn)該領(lǐng)域有明顯突破；不過(guò)在市場(chǎng)積極轉(zhuǎn)型及企圖心旺盛的新進(jìn)者積極規(guī)劃投入下，也有部分業(yè)者認(rèn)為，突破的時(shí)間指日可待。
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