2010年10月10日是一個(gè)值得讓京儀世紀(jì)人難忘的日子！說(shuō)它難忘，首先是因?yàn)椤叭B十”是百年一遇“十全十美”的大好日子；再有就是京儀世紀(jì)電子分公司總裝生產(chǎn)線的員工們繼日前實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)量突破71臺(tái)的最高記錄后，國(guó)慶假期中，又創(chuàng)造了MCZ-6000HB型硅單晶爐達(dá)產(chǎn)第1000臺(tái)的新紀(jì)錄！

    MCZ-6000HB型硅單晶爐是針對(duì)太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的需求而開(kāi)發(fā)的高性能晶體生長(zhǎng)爐。該爐采用直拉法生長(zhǎng)單晶，提升結(jié)構(gòu)類(lèi)型為軟軸提拉型。大規(guī)模生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)6?-8?硅單晶，在優(yōu)化條件后也可生產(chǎn)IC級(jí)單晶。

    MCZ-6000HB型硅單晶爐的特點(diǎn)是，主室直徑為900mm,可使用18?-22?熱系統(tǒng)，最大投料量120kg，并可連續(xù)投料你20kg,可拉制6?-8?硅單晶，主要應(yīng)于8?太陽(yáng)能硅單晶拉制。真空度及潔凈度按IC級(jí)別設(shè)計(jì)，也可用于集成電路硅材料的拉制。
    MCZ-6000HB系列硅單晶爐采用標(biāo)準(zhǔn)模塊化部件系統(tǒng)集成設(shè)計(jì)而成?？梢院芊奖愕亟M成MCZ-6000HB基本型，也稱(chēng)半自動(dòng)型。在滿(mǎn)足太陽(yáng)能硅單晶生產(chǎn)的基本要求下，追求成本最低，供企業(yè)在市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)中保持大批量生產(chǎn)中的低成本優(yōu)勢(shì)。

    同時(shí)均考慮安裝水平電磁場(chǎng)的外形尺寸空間預(yù)留及相關(guān)功能部件增減。該設(shè)備采用臥式籽晶提升機(jī)構(gòu)、翻板閥。MCZ-6000HB單晶爐總體高度在6.8米左右。

    電控制系統(tǒng)采用微機(jī)控制，功能全、精度高、穩(wěn)定性好。本爐具有：溫度自動(dòng)控制系統(tǒng)、電機(jī)調(diào)速控制系統(tǒng)、光環(huán)法單晶直徑自動(dòng)控制系統(tǒng)（A型）、CCD單晶直徑自動(dòng)控制系統(tǒng)（C型）、單晶熔體自動(dòng)跟隨系統(tǒng)、配備坩堝跟蹤數(shù)字顯示功能。各拉晶有關(guān)參數(shù)包括籽晶軸、坩堝軸的轉(zhuǎn)動(dòng)速度、晶升和堝升速度、爐內(nèi)壓力等數(shù)據(jù)都采用數(shù)字顯示儀表。能穩(wěn)定的控制生長(zhǎng)直徑直徑均勻的無(wú)位錯(cuò)單晶。

    電控制配置有電氣柜及電源柜，使用、調(diào)整維修容易。爐室結(jié)構(gòu)為頂開(kāi)式，主爐室和副爐室開(kāi)啟時(shí)可上移。副爐室為筒式，爐蓋及主爐室、副爐室均采用機(jī)械傳動(dòng)裝置，上升到位后分別轉(zhuǎn)開(kāi)，懸掛在爐子外側(cè)，便于拆裝熱場(chǎng)系統(tǒng)和清理爐內(nèi)各部。主爐室和副爐室之間，設(shè)有隔離閥，可在保持坩堝溫度的情況下取出晶體，更換籽晶，實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉晶。具有各類(lèi)自動(dòng)聯(lián)鎖和安全措施。例如：主要部位冷卻水溫的檢測(cè)與超溫報(bào)警。籽晶軸、坩堝軸超程限位報(bào)警。電流過(guò)流保護(hù)等。