10月15日，中來(lái)對(duì)外宣布其最新研發(fā)結(jié)果出爐，基于新一代隧穿氧化層和無(wú)繞鍍?cè)粨诫s非晶硅沉積的鈍化接觸技術(shù)制造的J-TOPCon 2.0電池，其量產(chǎn)平均效率可以實(shí)現(xiàn)24%以上，良率達(dá)到95%以上。此次發(fā)布不僅得到了政府、機(jī)構(gòu)的支持，更是吸引了媒體及行業(yè)伙伴的廣泛關(guān)注。


中來(lái)股份董事長(zhǎng)林建偉對(duì)J-TOPCon 2.0技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展非常有信心，他表示：“這次TOPCon技術(shù)的進(jìn)步是我們多年夢(mèng)寐以求的目標(biāo)，做出這款高而不貴、兩全齊美的產(chǎn)品，把TOPCon制造技術(shù)推向一個(gè)新的高度。J-Topcon2.0將成為全球最高性價(jià)比產(chǎn)品，高效率、高發(fā)電量、高投資收益。我們?cè)敢庖黄鸶蟹窒磉@個(gè)新技術(shù)，為高效太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)普及做貢獻(xiàn)。我們?cè)敢庖黄鸶蟹窒磉@個(gè)新技術(shù)，為高效太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)普及做貢獻(xiàn)。”


中來(lái)TOPCon 1.0制造工藝和技術(shù)是基于N 型硅片，通過(guò)隧穿氧化層和摻雜多晶硅實(shí)現(xiàn)鈍化接觸，大幅度提高電池效率。經(jīng)過(guò)多年研發(fā)和生產(chǎn)調(diào)試，中來(lái)量產(chǎn)效率雖然達(dá)到了世界領(lǐng)先的23.5%+，但是由于隧穿氧化層通過(guò)高溫氧化， LPCVD沉積非晶硅，離子注入摻磷，并經(jīng)高溫退火，多晶硅繞鍍清洗等多道工序完成。相比于PERC電池量產(chǎn)，生產(chǎn)成本和良率是長(zhǎng)期困擾的難題。

此次J-TOPCon 2.0新技術(shù)是與江蘇杰太光電技術(shù)有限公司合作，利用其獨(dú)創(chuàng)的線性等離子源技術(shù)，共同開(kāi)發(fā)了一套全新的POPAID技術(shù) (Plasma Oxidation & Plasma Assisted Insitu-doping Deposition)，等離子氧化及等離子輔助原位摻雜技術(shù)。POPAID利用鏈?zhǔn)狡脚_(tái)傳輸載板，能夠在不破真空情況下同時(shí)完成隧穿氧化和摻雜非晶硅沉積，真正做到無(wú)繞鍍。POPAID技術(shù)是全新的中國(guó)創(chuàng)新概念和技術(shù)，他是在光伏電池制造領(lǐng)域難得的中國(guó)原創(chuàng)、中國(guó)領(lǐng)先的鍍膜概念。

POPAID設(shè)備上實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)創(chuàng)新工藝，其中等離子氧化硅的形成（PO）對(duì)表面沒(méi)有損傷、而且鍍膜厚度在0.1nm精度范圍，真正實(shí)現(xiàn)了亞納米鍍膜工藝控制。和常規(guī)高溫氧化相比，隧穿鈍化效果更加優(yōu)越。達(dá)到表面鈍化和接觸選擇性同時(shí)提升的效果，均勻性更佳。對(duì)于摻雜非晶硅鍍膜（PAID）工藝，該設(shè)備采用等離子強(qiáng)化的鍍膜工藝，實(shí)現(xiàn)摻雜的非晶硅膜沉積，退火后摻雜濃度可高達(dá)4×1020原子/cm3，是常規(guī)離子注入濃度的一倍以上。經(jīng)兩道工藝的整合，J-TOPCon 2.0電池效率超過(guò)常規(guī)離子注入0.2%以上，開(kāi)路電壓（Voc），填充因子（FF）均有提升。良率也可提高2%。

POPAID裝備技術(shù)使一臺(tái)設(shè)備可以替代現(xiàn)有管式高溫氧化、管式LPCVD，離子注入去繞鍍清洗四道工序的四臺(tái)設(shè)備，量產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)能達(dá)到8000片/小時(shí)。

由于利用POPAID 技術(shù)使原來(lái)TOPCon 12道制造工序縮短到9道工序。這不僅提升電池效率，而且提升生產(chǎn)良率和降低生產(chǎn)成本，可跟高效PERC電池工藝流程相媲美?？梢哉f(shuō)，J-TOPCon 2.0為新一代高效TOPCon電池的量產(chǎn)推廣鋪平了道路，這是對(duì)TOPCon技術(shù)的一次革命性貢獻(xiàn)。