如下所示，小編整理了目前主流的組件技術(shù)路線

單晶P型和N型

制造工藝有所區(qū)別，都是不同的技術(shù)路線，P型是比較成熟的工藝，優(yōu)點(diǎn)是價格較低，N型是最新的技術(shù)路線，優(yōu)點(diǎn)是效率較高、壽命更長。

目前P型晶硅電池占據(jù)晶硅電池市場的絕對份額。然而，不斷追求效率提升和成本降低是光伏行業(yè)永恒的主題。N型單晶硅較常規(guī)的P型單晶硅具有少子壽命高、光致衰減小等優(yōu)點(diǎn)，具有更大的效率提升空間，同時，N型單晶組件具有弱光響應(yīng)好、溫度系數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)。因此，N型單晶系統(tǒng)具有發(fā)電量高和可靠性高的雙重優(yōu)勢。

目前天合、樂葉等組件企業(yè)一直在主攻P型電池技術(shù)制造組件。

英利、晶澳等組件企業(yè)在主攻N型電池工藝技術(shù)。

P型電池的PERC技術(shù)

即鈍化發(fā)射極背面接觸，應(yīng)用了PERC技術(shù)，單晶可將轉(zhuǎn)化效率從19%-19.2%提升至20%-20.2%，而相比之下，多晶硅卻只能將轉(zhuǎn)化率從17.5%-18%提升至18%-18.5%。從海外和內(nèi)地電池廠商的PERC技術(shù)應(yīng)用情況看，PERC技術(shù)在單晶電池方面體現(xiàn)了更好的溢價優(yōu)勢和發(fā)展空間。PERC技術(shù)使單晶電池的轉(zhuǎn)換效率提升高出1個百分點(diǎn)，而多晶電池僅為0.5個百分點(diǎn)。從溢價角度看，PERC技術(shù)對于單晶電池的收益更為明顯，多晶電池的溢價基本被新增設(shè)備的折舊所抵消。

N型電池的PERT技術(shù)

PERT電池是發(fā)射結(jié)鈍化全背場擴(kuò)散電池（PassivatedEmitterRearTotally-diffused），其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是背表面擴(kuò)散全覆蓋以降低電池的背面接觸電阻和復(fù)合速率。背面全背場擴(kuò)散可以通過不同的工藝方式實(shí)現(xiàn)，主要包括管式擴(kuò)散，外延生長法，離子注入法等。

N型電池的雙面發(fā)電技術(shù)

與常規(guī)p型電池不同，n型電池正反兩面均有鈍化膜覆蓋，金屬化由絲網(wǎng)印刷完成，由于正反面柵線結(jié)構(gòu)都是常規(guī)的H-型，因此電池不僅正面可吸收光，其背表面也能吸收入射光從而產(chǎn)生額外電力。最高功率輸出性能提高10%-15%。

英利熊貓雙面發(fā)電組件，最高輸出功率可達(dá)330W

多晶的黑硅+金剛線切割技術(shù)

黑硅技術(shù)，造成常規(guī)多晶效率低于單晶效率主要為多晶酸制絨在（300-450nm）的反射率較高，如何才能降低這部分的損失？

將材料表面加工成介于微米-納米級的微孔即可有效降低硅反射率從而提高短波的光吸收。

黑硅電池，核心是通過刻蝕技術(shù)，一方面在常規(guī)硅片表面制絨的基礎(chǔ)上形成納米級的小絨面，從而加大陷光的效果降低反射率，增加對光的吸收；另一方面，通過二次刻蝕來降低表面復(fù)合，從而將常規(guī)電池的轉(zhuǎn)換效率絕對值提高。

黑硅多晶組件

到底該選那種組件？

目前，全球80%的組件為多晶組件市場，其性價比高，性能穩(wěn)定，衰減率低。但是隨著單晶組件的成本降低，以及P型和N型電池技術(shù)路線的不斷深化，單晶組件在市場上的比重也會越來越高。

在分布式光伏系統(tǒng)中，如果希望更高的性價比，我們推薦多晶組件系統(tǒng)，如果希望單位面積內(nèi)安裝的容量最高，我們推薦單晶組件系統(tǒng)。

至于選擇什么規(guī)格或者品牌的，就看該品牌的技術(shù)路線和成熟度以及價格了。

一般來說，我們選擇標(biāo)稱最大規(guī)格降5Wp的是最容易買到并且質(zhì)量穩(wěn)定的！

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