近年來,光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,提高效率和降低成本成為整個(gè)行業(yè)的目標(biāo)。在晶體Si太陽(yáng)電池的薄片化發(fā)展過程中,出現(xiàn)了許多嚴(yán)重的問題,如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等,正是這些缺陷限制了電池的光電轉(zhuǎn)化效率和使用壽命。同時(shí),由于沒有完善的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),Si片原材料質(zhì)量也是參差不齊,一些缺陷片的存在直接影響到組件乃至光伏系統(tǒng)的穩(wěn)定性。因此,太陽(yáng)能行業(yè)需要有快速有效和準(zhǔn)確的定位檢驗(yàn)方法來檢驗(yàn)生產(chǎn)環(huán)節(jié)可能出現(xiàn)的問題。
發(fā)光成像方法為太陽(yáng)電池缺陷檢測(cè)提供了一種非常好的解決方案,這種檢測(cè)技術(shù)使用方便,類似透視的二維化面檢測(cè)。
光致發(fā)光(photoluminescence,PL)檢測(cè)過程大致包括激光被樣品吸收、能量傳遞、光發(fā)射及CCD成像四個(gè)階段。通常利用激光作為激發(fā)光源,提供一定能量的光子,Si片中處于基態(tài)的電子在吸收這些光子后而進(jìn)入激發(fā)態(tài),處于激發(fā)態(tài)的電子屬于亞穩(wěn)態(tài),在短時(shí)間內(nèi)會(huì)回到基態(tài),并發(fā)出以1150 nm的紅外光為波峰的熒光。利用冷卻的照相機(jī)鏡頭進(jìn)行感光,將圖像通過計(jì)算機(jī)顯示出來。發(fā)光的強(qiáng)度與本位置的非平衡少數(shù)載流子的密度成正比,而缺陷處會(huì)成為少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心,因此該區(qū)域的少數(shù)載流子密度變小導(dǎo)致熒光效應(yīng)減弱,在圖像上表現(xiàn)出來就成為暗色的點(diǎn)、線,或一定的區(qū)域,而在電池片內(nèi)復(fù)合較少的區(qū)域則表現(xiàn)為比較亮的區(qū)域。Si片或電池片是否存在缺陷 。
因此,通過觀察光致發(fā)光成像能夠判斷
操作界面如下圖
測(cè)試樣本實(shí)例如下圖:
PL測(cè)試設(shè)備性能參數(shù)
Parameter
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Specification
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General
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Measurement System:
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Op-tection OSIS-Cell-PL-Inline
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Sample Type
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Solar Cells:
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6” solar (5” configuration available too; specify with order)
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Busbar Configurations:
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2 busbars and 3 busbars and Back-Contact (BC-) cells
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Defect Types Found:
(for both mono- and poly-cell material)
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Micro Cracks / Large Cracks / Dark Areas / Low efficiency areas / Whole Cell defect
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Max. Throughput:
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Inspection Cycle Time:
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3000 cells / h
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Operation:
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Stop & Go measurement
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Optics
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Camera:
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1 x 1 Megapixel Camera (Black & White sensor)
à 0.15 mm/pixel resolution
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Lens:
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NIR optimized lens + cut-off filters for PL
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Camera specifications
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Image device:
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1MP Deep depletion cooled CCD sensor
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Picture size:
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1024 H x 1024 V
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Pixel size:
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13 µm x 13 µm (large pixel for best SNR)
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Resolution depth:
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16 bit
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Lens mount:
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C-Mount
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Frame rates:
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2,25 fps (full resolution)
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Illumination
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PL excitation source:
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Laser
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