單晶是光伏的未來(lái)，多晶路線必將被淘汰。這種說(shuō)法在最近一年多來(lái)，讓很多投資者深信不疑，甚至很多專業(yè)的光伏媒體都在這樣宣傳。

其實(shí)，單晶和多晶是兩條并行技術(shù)路線，已經(jīng)在市場(chǎng)上并存了很多年。舉個(gè)例子，即使2014年多晶組件把單晶組件在國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)份額壓縮到只有5%，仍未能完全取代單晶，說(shuō)明兩者相互之間要完全取代是很難的一件事情。總的來(lái)說(shuō)多晶便宜性價(jià)比高，單晶單位面積效率高但要貴一點(diǎn)，在市場(chǎng)上各有所需。

現(xiàn)階段來(lái)看，在海外市場(chǎng)多晶一直保持市場(chǎng)份額優(yōu)勢(shì)。單晶市場(chǎng)份額從2009年的38%逐年下降到2015年的19%，2016年小幅回升至21%，總體變化不大。

在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，單晶這兩年發(fā)展迅猛。市場(chǎng)份額由2014年的5%提升至2015年的15%，再到2017年預(yù)期超過(guò)30%，其中主要有兩個(gè)方面的原因。

第一，單晶硅片企業(yè)率先成功的使用了金剛線切片技術(shù)。效率提高，成本降低。單晶產(chǎn)品原來(lái)在市場(chǎng)上最大的弱點(diǎn)是價(jià)格貴。但是由于多晶硅片企業(yè)遲遲未能突破金剛線切片技術(shù)，在此期間，單晶產(chǎn)品價(jià)格相對(duì)以前價(jià)格有了較大幅度的降低，而且能效較高，在性價(jià)比上對(duì)多晶產(chǎn)品產(chǎn)生的較大沖擊。

今年以來(lái)，多晶金剛線切片技術(shù)得到突破和推廣，局勢(shì)得到扭轉(zhuǎn)。預(yù)計(jì)到明年，未完成金剛線切片改造的產(chǎn)能將被完全淘汰。所以在性價(jià)比上，同樣采用了金剛線切片技術(shù)后，單晶和多晶又會(huì)重新回到原來(lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。

第二，在政策上國(guó)家對(duì)單晶進(jìn)行了較大力度的扶持。根據(jù)工信部發(fā)布的《中國(guó)光伏路線圖》(2016版)預(yù)計(jì)到2025年單晶市場(chǎng)份額將大幅提高到48%左右，和多晶平分秋色。

按照現(xiàn)在的市場(chǎng)一致預(yù)期，在2019-2020年左右，光伏行業(yè)將會(huì)實(shí)現(xiàn)平價(jià)上網(wǎng)，屆時(shí)政策的影響力將會(huì)消失。誰(shuí)的性價(jià)比高，誰(shuí)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力就強(qiáng)。

既然單晶是光伏行業(yè)的一條重要的技術(shù)路線，有其不可替代的優(yōu)勢(shì)。那協(xié)鑫為什么只堅(jiān)持走多晶路線，而不同時(shí)發(fā)展單晶產(chǎn)品，全方位的滿足市場(chǎng)的需求呢?作為光伏上游行業(yè)的世界龍頭，普通人能想到的，公司怎么會(huì)沒(méi)有想到?誰(shuí)告訴你協(xié)鑫沒(méi)有單晶路線的技術(shù)儲(chǔ)備，沒(méi)在發(fā)展單晶產(chǎn)品。

單晶和多晶在很多環(huán)節(jié)很多方面技術(shù)可以共通共同的，但為什么價(jià)格一直高于多晶。其中最大的區(qū)別在于，在硅棒環(huán)節(jié)，單晶對(duì)硅料要求比較高，采用直拉工藝，成本高于采用鑄錠工藝的多晶。

所以保利協(xié)鑫在發(fā)展單晶技術(shù)路線的時(shí)候，放棄了直拉工藝，采用了適用于自己當(dāng)前生產(chǎn)設(shè)備成本更低廉的鑄錠單晶技術(shù)工藝。一旦成功，生產(chǎn)成本基本和多晶相差無(wú)幾，這將解決單晶在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中的核心問(wèn)題：價(jià)格過(guò)高。

根據(jù)報(bào)道，保利協(xié)鑫擁有世界領(lǐng)先的鑄錠技術(shù)。今年年中發(fā)布的其第三代鑄錠單晶硅產(chǎn)片G3，該產(chǎn)品基于保利協(xié)鑫最新的整錠全單晶技術(shù)平臺(tái)，硅片的單晶面積可達(dá)99%以上。數(shù)據(jù)顯示，批量生產(chǎn)的整錠單晶硅片G3在常規(guī)工藝下的電池轉(zhuǎn)換效率可達(dá)19.52%，在PERC電池工藝下可達(dá)20.85%，與同樣工藝的直拉單晶效率相差不超過(guò)0.5個(gè)百分點(diǎn)。與同樣邊長(zhǎng)的直拉單晶硅片相比，整錠單晶硅片面積更大，組件封裝損失更小。普通單晶電池工藝的G3硅片60片組件功率達(dá)到280-285瓦，應(yīng)用PERC工藝可達(dá)295-300瓦。

單晶和多晶的技術(shù)路線之爭(zhēng)，保利協(xié)鑫布局長(zhǎng)遠(yuǎn)，兩手準(zhǔn)備，完全可以達(dá)到左右手互博。其單晶產(chǎn)品是否能取得成功，讓我們拭目以待。