中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊 近日，第十屆中國電子信息技術(shù)年會在北京舉行。由南車時代電氣完成的《高壓高功率密度IGBT芯片和模塊研究開發(fā)及其應(yīng)用》項目被授中國電子學(xué)會科技進步類一等獎榮譽。

《高壓高功率密度IGBT芯片和模塊研究開發(fā)及其應(yīng)用》是對高功率密度IGBT的關(guān)鍵技術(shù)進行攻關(guān)研究，在芯片設(shè)計、仿真優(yōu)化、工藝整合、模塊設(shè)計、封裝測試、考核驗證、批量應(yīng)用等方面取得突破，形成了一整套自主開發(fā)的高功率密度IGBT及其配套FRD芯片及模塊的設(shè)計技術(shù)和制造與封裝工藝，全面建成了完全自主知識產(chǎn)權(quán)的高功率密度IGBT芯片及模塊的“設(shè)計-工藝-應(yīng)用”產(chǎn)業(yè)化平臺。這徹底打破我國在高端IGBT芯片領(lǐng)域核心技術(shù)與產(chǎn)品長期受制于人的局面。

研究成果經(jīng)過嚴(yán)格的測試與應(yīng)用考核，各項技術(shù)指標(biāo)處于國際領(lǐng)先水平。產(chǎn)品在不同的領(lǐng)域成功實現(xiàn)批量應(yīng)用，打通了我國先進功率半導(dǎo)體芯片-模塊-裝置-系統(tǒng)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

同時，南車時代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理劉國友被評為“十佳中國電子學(xué)會優(yōu)秀科技工作者”。