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三洋電機(jī)以厚98μm的HIT太陽能電池實(shí)現(xiàn)22.8%的轉(zhuǎn)換效率

   2009-09-22 ne21.com21世紀(jì)新能源17950

  三洋電機(jī)以厚度僅為此前一半左右的98μm的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)太陽能電池,實(shí)現(xiàn)了22.8%的電池單元轉(zhuǎn)換效率。雖然厚度減半,但電池單元轉(zhuǎn)換效率卻只降低了0.2個(gè)百分點(diǎn)由于可減少占成本一半的硅的使用量,開辟了HIT太陽能電池低成本化的道路”(三洋電機(jī)研究開發(fā)本部太陽能研究部部長丸山英治)。只是量產(chǎn)日期未定。

  此次的HIT太陽能電池特性中,0.743的開路電壓(Voc)值較為突出?!斑@是結(jié)晶硅型太陽能電池全球首次超過0.74。將會在專業(yè)學(xué)會上引起巨大反響”(丸山)。Voc較高的太陽能電池由于溫度特性出色,實(shí)地發(fā)電量較多。除此之外的特性還有:短路電流(Isc)為38.8mA/cm2,曲線因數(shù)(FF)為79.1%,電池單元面積為100.3cm2。是由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所測定的。

  一般認(rèn)為,減少電池單元的厚度,則(1)硅底板表面載流子再結(jié)合的影響會導(dǎo)致Voc下降;(2)由于光吸收量減少,短路電流也會下降。

  關(guān)于(1),硅底板表面堆疊非晶硅層的HIT太陽能電池,原本為難以發(fā)生載流子再結(jié)合的結(jié)構(gòu)。利用這一特性,并減少了形成非晶硅層時(shí)的硅底板表面損傷等,從而提高了電壓。關(guān)于(2),通過提高陷光效應(yīng)(Light Trapping Effect)予以解決。具體而言,就是在降低非晶硅層及透明導(dǎo)電膜層的光吸收損失的同時(shí),改善了表面的凹凸結(jié)構(gòu)。(記者:河合 基伸)

 
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