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松下背接觸HIT太陽能電池推動(dòng)效率創(chuàng)紀(jì)錄達(dá)25.6%

   2014-04-11 pv-tech15760
核心提示:松下公司(Panasonic Corporation)商業(yè)規(guī)格(143.7 cm²)的單晶硅HIT太陽能電池日前實(shí)現(xiàn)25.6%創(chuàng)紀(jì)錄的轉(zhuǎn)換效率。效率紀(jì)錄的一
松下公司(Panasonic Corporation)商業(yè)規(guī)格(143.7 cm²)的單晶硅“HIT”太陽能電池日前實(shí)現(xiàn)25.6%創(chuàng)紀(jì)錄的轉(zhuǎn)換效率。

效率紀(jì)錄的一個(gè)關(guān)鍵性突破是首次在其異質(zhì)結(jié)技術(shù)中啟用背接觸電極。此前該公司創(chuàng)下的紀(jì)錄為2013年二月啟用一款101.8 cm²電池產(chǎn)生24.7%的轉(zhuǎn)換效率。

然而,松下表示,降低復(fù)合損耗、光損耗和電阻損耗是該效率紀(jì)錄的貢獻(xiàn)因素。電阻損耗的減少是遷移至背接觸電池的一個(gè)關(guān)鍵方面,同時(shí)將短路電流密度(Jsc)提高到41.8mA/cm²來自背接觸電池的貢獻(xiàn),而此前為39.5mA/cm²。

松下表示,其此前的HIT電池結(jié)構(gòu)上表面電極已經(jīng)得到更薄柵極電極的優(yōu)化,但是當(dāng)電流轉(zhuǎn)移至柵極電極,在電池背面放置電極降低了電阻損耗。該公司還報(bào)告通過改善非晶薄膜硅層的電阻損耗,0.827的高填充因子(FF)。

上表面非晶硅的沉積改善還導(dǎo)致每攝氏度-0.25%的高溫度系數(shù),其造成在高開路電壓(Voc)及高溫條件下。穩(wěn)定的高轉(zhuǎn)換效率。

松下表示,其正在考慮未來批量生產(chǎn)該背接觸電池,但是沒有給出時(shí)間表。

 
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