Spire Semiconductor贏得美國(guó)政府的資金，重新設(shè)計(jì)化合物半導(dǎo)體電池，努力削減成本并提高效率。MicroLinkDevices表示它利用MOCVD技術(shù)和一些獨(dú)特的工藝步驟――包括將外延片下的襯底剝離――將太陽(yáng)能電池中的GaAs用量最小化。在9月29日美國(guó)DoE宣布該工廠(chǎng)獲得297萬(wàn)美元的資助用于Solar AmericaInitiative下面的光電模塊孵化項(xiàng)目。該項(xiàng)目為期18個(gè)月，Spire在GaAs襯底上使用“雙面”電池，優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)層的光學(xué)特性使它與太陽(yáng)能光譜匹配，最終能將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率提升到42%以上。

    這個(gè)項(xiàng)目打算建立電池生產(chǎn)線(xiàn)，使得年發(fā)電量高達(dá)50MW，DOE股及到2012年輸出量能達(dá)到250MW。

    另：Spectrolab日前向Veeco訂購(gòu)多套MOCVD設(shè)備，生產(chǎn)砷化物和磷化物半導(dǎo)體系統(tǒng)。