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美國SiOnyx獲哈佛大學黑硅專利的獨家使用權(quán)

   2008-11-06 ne21.com21世紀新能源12740

    美國哈佛大學技術(shù)開發(fā)局(OTD)和美國SiOnyx于近日宣布,哈佛大學將向SiOnyx提供名為“黑硅(Si)”的特殊硅材料的專利授權(quán)。SiOnyx將獲得哈佛大學黑硅相關(guān)專利的獨占使用權(quán),爭取實現(xiàn)商用化。

    據(jù)了解,黑色硅材質(zhì)是電子產(chǎn)業(yè)革命性的新材料,根據(jù)材料顯示,黑硅的光敏感度是傳統(tǒng)硅材質(zhì)的100至500倍,同時比傳統(tǒng)材質(zhì)更輕。哈佛大學的物理學家Eric Mazur表示,創(chuàng)造這種特殊的硅材質(zhì),需要通過強大的激光束照射硅晶片,所需要的激光功率約相當于太陽在一瞬間照射地球表面的所有光的強度。

    黑硅的研究始于90年代末,Eric Mazur教授研究小組的某個研究提案,不過該提案獲得了美國軍隊的資助。據(jù)Mazur博士透露,“我的軍隊贊助資金即將耗盡”“我只是根據(jù)之前的研究提案寫了一個研究方向”。

    不過黑硅被發(fā)現(xiàn)在電子顯微鏡下具有如森林狀的小波峰。研究人員發(fā)現(xiàn),這種材質(zhì)的光感性比傳統(tǒng)硅材質(zhì)強100倍至500倍。今后,這種材質(zhì)將可以用在太陽能電池和光傳感器,數(shù)碼相機和數(shù)碼拍攝設(shè)備上,同時,夜視系統(tǒng)中也可以使用這種材質(zhì)。

    另外,這種黑硅也可檢測出不與普通硅發(fā)生反應(yīng)的紅外線。另外黑硅的制造工藝可嵌入到目前半導(dǎo)體制造工藝中,不需要使用新材料。

    SiOnyx是旨在將哈弗大學的研究成果應(yīng)用于商業(yè)目的而成立的企業(yè)。已從風險投資公司等籌集了1100萬美元的資金。
 
 
 

 
標簽: 太陽能
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