開發(fā)SOI（Silicon On Insulator）晶圓技術(shù)的美國(guó)Silicon Genesis公司2008年7月11日宣布，成功研制出使用“PolyMax”晶圓工藝技術(shù)的太陽能電池底板。該公司將使用該技術(shù)，涉足太陽能電池晶圓市場(chǎng)。

利用PolyMax技術(shù)制造的厚50μm的125mm晶圓

　　利用PolyMax技術(shù)的晶圓制造設(shè)備，除消除切割損失，大幅減少將硅錠切割成晶圓的工序中多結(jié)晶硅的使用量之外，還能夠在晶圓制造過程中省去部分費(fèi)用較大的耗材。另外，該公司表示，用該設(shè)備以單結(jié)晶硅制造高效太陽能電池單元，還有望緩解原材料――多結(jié)晶硅的短缺狀況。

　　該公司此次制造了厚50μm的125mm晶圓樣品。還計(jì)劃在2009年春季之前，利用PolyMax晶圓工藝技術(shù)，啟動(dòng)將硅錠切割成厚50～150μm的晶圓的試驗(yàn)生產(chǎn)線。

　　該公司預(yù)定在2008年9月1～5日于西班牙舉辦的“23rd European Photovoltaic Conference”上，公開PolyMax晶圓工藝技術(shù)及其設(shè)備的詳細(xì)情況。