5 準(zhǔn)單晶硅片基本參數(shù)
以鳳凰光伏準(zhǔn)單晶硅片為例,其基本參數(shù)是:
1) 導(dǎo)電類型:P型
2) 尺寸為156×156mm
3) 電阻為0.5—3Ω.cm,
4) 少子壽命≥2μs,
5) 厚度為200μm±20和180μm±20兩種,
6) TTV≤30μm,
7) 彎曲度≤15μm,
8) 大晶粒晶向<100>±5o
質(zhì)量好的單位準(zhǔn)單晶硅錠按照切片后同一晶向晶粒所占硅片面積的比例大
小可分為A、B、C三個(gè)質(zhì)量等級區(qū)域:
A區(qū):占硅錠比例為16%,同一晶向晶粒面積占硅片面積50%以上
B區(qū):占硅錠比例為48%,同一晶向晶粒面積占硅片面積70%以上
C區(qū):占硅錠比例為36%,同一晶向晶粒面積占硅片面積90%以上
6 準(zhǔn)單晶電池片效率
準(zhǔn)單晶硅錠中A、B、C區(qū)制成的電池片獲得了不同的技術(shù)參數(shù),具體如下:
A區(qū):轉(zhuǎn)換效率為16.61%;比普通多晶高0.1%—0.2%
B區(qū):轉(zhuǎn)換效率為17.02%;比普通多晶高0.4—0.6%
C區(qū):轉(zhuǎn)換效率為17.32%;比CZ單晶低0.2—0.4%
在準(zhǔn)單晶正常投料的情況下,平均衰減為0.4%—0.6%
其中,多晶電池片效率基準(zhǔn)為16.5%,單晶電池片效率基準(zhǔn)為17.6%。
在鳳凰光伏將試產(chǎn)單晶硅片送至相關(guān)的電池生產(chǎn)商,在大生產(chǎn)線投放后得到的數(shù)據(jù)基本相同,光衰減為0.5%。
7 準(zhǔn)單晶電池片生產(chǎn)技術(shù)
7.1 鳳凰光伏
鳳凰光伏不僅在準(zhǔn)單晶硅片制造方面已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),而且在與其客戶在利用準(zhǔn)單晶硅片生產(chǎn)電池片技術(shù)上也進(jìn)行了探討。鳳凰光伏首席技術(shù)官石堅(jiān)表示,推薦電池生產(chǎn)商A、B區(qū)進(jìn)行酸制絨,C區(qū)進(jìn)行堿制絨。未來,鳳凰光伏將與其客戶進(jìn)一步探討酸堿混合制絨的技術(shù),這樣每片的平均效率將超過17%,這樣就徹底超越了單晶硅片。
7.2 一種準(zhǔn)單晶硅片的制絨方法——發(fā)明專利(晶澳)
2011年4月晶澳太陽能針對準(zhǔn)單晶硅片的制絨技術(shù)公布了一項(xiàng)發(fā)明專利。專利中提出:對于準(zhǔn)單晶硅片而言,由于長晶控制和切割位置等的影響,在硅片中除了(100)晶面,通常不可避免的出現(xiàn)部分其它晶向的晶粒,即為隨機(jī)生長的多晶晶粒,單一的堿制絨或者酸制絨都無法實(shí)現(xiàn)良好的織構(gòu)化效果。因此,對于這類硅片的電池片制作,制絨工藝需結(jié)合酸、堿制絨的優(yōu)勢。具體實(shí)施過程中需根據(jù)準(zhǔn)單晶硅片中(100)晶向晶粒所占的比例,調(diào)節(jié)酸、堿制絨的程度,以達(dá)到最好的綜合制絨效果。以下內(nèi)容截自此發(fā)明專利,以供參考。
以鳳凰光伏準(zhǔn)單晶硅片為例,其基本參數(shù)是:
1) 導(dǎo)電類型:P型
2) 尺寸為156×156mm
3) 電阻為0.5—3Ω.cm,
4) 少子壽命≥2μs,
5) 厚度為200μm±20和180μm±20兩種,
6) TTV≤30μm,
7) 彎曲度≤15μm,
8) 大晶粒晶向<100>±5o
質(zhì)量好的單位準(zhǔn)單晶硅錠按照切片后同一晶向晶粒所占硅片面積的比例大
小可分為A、B、C三個(gè)質(zhì)量等級區(qū)域:
A區(qū):占硅錠比例為16%,同一晶向晶粒面積占硅片面積50%以上
B區(qū):占硅錠比例為48%,同一晶向晶粒面積占硅片面積70%以上
C區(qū):占硅錠比例為36%,同一晶向晶粒面積占硅片面積90%以上
6 準(zhǔn)單晶電池片效率
準(zhǔn)單晶硅錠中A、B、C區(qū)制成的電池片獲得了不同的技術(shù)參數(shù),具體如下:
A區(qū):轉(zhuǎn)換效率為16.61%;比普通多晶高0.1%—0.2%
B區(qū):轉(zhuǎn)換效率為17.02%;比普通多晶高0.4—0.6%
C區(qū):轉(zhuǎn)換效率為17.32%;比CZ單晶低0.2—0.4%
在準(zhǔn)單晶正常投料的情況下,平均衰減為0.4%—0.6%
其中,多晶電池片效率基準(zhǔn)為16.5%,單晶電池片效率基準(zhǔn)為17.6%。
在鳳凰光伏將試產(chǎn)單晶硅片送至相關(guān)的電池生產(chǎn)商,在大生產(chǎn)線投放后得到的數(shù)據(jù)基本相同,光衰減為0.5%。
7 準(zhǔn)單晶電池片生產(chǎn)技術(shù)
7.1 鳳凰光伏
鳳凰光伏不僅在準(zhǔn)單晶硅片制造方面已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),而且在與其客戶在利用準(zhǔn)單晶硅片生產(chǎn)電池片技術(shù)上也進(jìn)行了探討。鳳凰光伏首席技術(shù)官石堅(jiān)表示,推薦電池生產(chǎn)商A、B區(qū)進(jìn)行酸制絨,C區(qū)進(jìn)行堿制絨。未來,鳳凰光伏將與其客戶進(jìn)一步探討酸堿混合制絨的技術(shù),這樣每片的平均效率將超過17%,這樣就徹底超越了單晶硅片。
7.2 一種準(zhǔn)單晶硅片的制絨方法——發(fā)明專利(晶澳)
2011年4月晶澳太陽能針對準(zhǔn)單晶硅片的制絨技術(shù)公布了一項(xiàng)發(fā)明專利。專利中提出:對于準(zhǔn)單晶硅片而言,由于長晶控制和切割位置等的影響,在硅片中除了(100)晶面,通常不可避免的出現(xiàn)部分其它晶向的晶粒,即為隨機(jī)生長的多晶晶粒,單一的堿制絨或者酸制絨都無法實(shí)現(xiàn)良好的織構(gòu)化效果。因此,對于這類硅片的電池片制作,制絨工藝需結(jié)合酸、堿制絨的優(yōu)勢。具體實(shí)施過程中需根據(jù)準(zhǔn)單晶硅片中(100)晶向晶粒所占的比例,調(diào)節(jié)酸、堿制絨的程度,以達(dá)到最好的綜合制絨效果。以下內(nèi)容截自此發(fā)明專利,以供參考。
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