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臺(tái)積電公布MEMS代工服務(wù)計(jì)劃

   2008-05-22 日經(jīng)BP社報(bào)道21世紀(jì)新能源18700

全球代工龍頭臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)公布了即將啟動(dòng)的全新MEMS代工服務(wù)的詳情。據(jù)悉該公司面對(duì)今后半導(dǎo)體元件與MEMS逐步融合的潮流,已提前做好了提供MEMS與CMOS融合的代工服務(wù)準(zhǔn)備。該方案具有MEMS制造工藝平臺(tái)化的特征。臺(tái)積電MEMS程序主管Robert Tsai日前透露了上述內(nèi)容。   

TSMC表示,要充分利用在硅代工服務(wù)中培育的經(jīng)驗(yàn),重點(diǎn)在于盡可能使設(shè)計(jì)和制造工藝的服務(wù)內(nèi)容實(shí)現(xiàn)通用平臺(tái)化,使MEMS制造工藝能夠在一定范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。目前,MEMS領(lǐng)域還沒有設(shè)計(jì)和制造工藝標(biāo)準(zhǔn)。因此,需要為各種產(chǎn)品單獨(dú)開發(fā)設(shè)計(jì)規(guī)則、制造工藝、封裝和測(cè)試方法。   

以推進(jìn)設(shè)計(jì)的平臺(tái)化為例,在IP庫(kù)的建設(shè)方面,TSMC希望與多家伙伴企業(yè)進(jìn)行長(zhǎng)期合作。并準(zhǔn)備分別于2008年完成傳感器和打印機(jī)噴頭、于2009年完成DMD(數(shù)字微鏡器件)和RF(射頻)元件的IP庫(kù)。   

制造工藝也將依制造工序進(jìn)行模塊化。其中包括玻璃底板工藝、犧牲層應(yīng)用工藝、反射鏡成型工藝,鉸鏈結(jié)構(gòu)成型工藝等。另外,內(nèi)面曝光、硅深蝕刻、CVD/PVD、內(nèi)面研磨、CMP等工序也將列入模塊化項(xiàng)目之中。   

 
MEMS代工服務(wù)將在位于新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)的“Fab 2”和“Fab 3”實(shí)施。其中,F(xiàn)ab 2為支持150mm晶圓的生產(chǎn)線,F(xiàn)ab 3為支持200mm晶圓的生產(chǎn)線。

 
標(biāo)簽: 太陽(yáng)能
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