新日鐵(Nippon Steel)6日發(fā)布新聞稿宣布，已完成尺寸達6吋的碳化矽(SiC)單晶晶圓的研發(fā)，此為日本國內(nèi)首見的創(chuàng)舉。新日鐵表示，6吋SiC晶圓為次世代高性能電源控制晶片能否量產(chǎn)/普及的關(guān)鍵材料，和現(xiàn)行使用于二極體、電晶體等半導(dǎo)體元件的矽晶圓相比，SiC晶圓可將電力變換過程中的電力損失量減半，且其耐電壓性和耐熱性也優(yōu)于矽晶圓。

新日鐵表示，隨著6吋SiC晶圓的研發(fā)成功，不但可降低SiC元件的制造成本，而且可將SiC元件的應(yīng)用領(lǐng)域擴增至太陽能發(fā)電或車用(電動車EV/油電混合車HEV)等市場。

據(jù)日經(jīng)新聞指出，新日鐵計畫于2013年度開始量產(chǎn)上述6吋SiC晶圓產(chǎn)品，目標(biāo)為搶下全球40% SiC晶圓市占；目前新日鐵SiC晶圓全球市占率為5-6%，遜于美國Cree的60-70%位居第2位。日經(jīng)指出，目前全球SiC晶圓需求量雖不足5萬片，惟預(yù)估2020年時將大幅倍增至40萬片的規(guī)模，其中可應(yīng)用于車用市場的6吋產(chǎn)品年均增幅預(yù)估可達90%。

新日鐵于日前宣布，計畫于2012年3月底前階段性將4吋以下(含4吋)的SiC晶圓月產(chǎn)能擴增至1,000片的規(guī)模，約達現(xiàn)行產(chǎn)能的3倍；新日鐵自2009年開始就進行SiC晶圓的生產(chǎn)與販?zhǔn)邸Ｐ氯砧F并同時宣布，已與美國Cree就雙方于全球所持有的SiC單晶晶圓相關(guān)專利簽署了相互授權(quán)契約