德國 WETTENBERG 2011年6月16日電 /美通社亞洲/ -- PVA TePla AG - 位于德國 Wettenberg 的硅晶體生長設(shè)備及高溫真空設(shè)備制造商,近日將正式推出其最新研發(fā)并具備更大加料量的第五代多晶硅鑄錠設(shè)備(G5)。該新型產(chǎn)品被命名為 MultiCrystallizer VGF732Si HC。
Multi Crystallizer 是一種采用定向凝固法(基于垂直梯度定向凝固的生產(chǎn)工藝)制備多晶硅錠的設(shè)備,由該設(shè)備生產(chǎn)的硅鑄錠被進一步加工生產(chǎn)后,用于制取光伏產(chǎn)業(yè)所必需的多晶硅片。
新型 HC 設(shè)備,通過使用較高 G5 的坩堝(G5:坩堝高度 480-520mm;舊標準:420mm)從而得以實現(xiàn)最大560公斤的高裝料量。
該型設(shè)備具備獨特的熱場溫控系統(tǒng),通過熱區(qū)卓越的溫度均勻性,使得鑄錠直至外表面都可以實現(xiàn)柱狀凝固,為理想的高鑄錠工藝創(chuàng)造了完美的條件,本機生產(chǎn)的高鑄錠具備與之前由 420mm 坩堝制備的硅錠相同的晶體質(zhì)量水平。從該硅錠中生產(chǎn)出的硅片電池效率較行業(yè)標準平均高出0.4個百分點,并且硅錠良品率達到了75%(硅錠可用重量相對于硅錠總重量)。
通過較高的裝料量,可在 480mm 坩堝內(nèi)得到最佳高度 250mm 的硅塊,該有效高度值意味著硅片切割的最高利用率,并且由此為客戶帶來經(jīng)濟效益的顯著提高。
此外鑒于 MultiCrystallizer VGF732Si HC 設(shè)備的獨立加熱和冷卻方式,該設(shè)備同樣特別適用于準單晶制備工藝。晶體生長工藝中穩(wěn)定的結(jié)晶面可避免故障的發(fā)生,并且有助于獲得最佳的準單晶結(jié)構(gòu)。
關(guān)于設(shè)備祥情,請聯(lián)系:
Roger Pingel 先生
PVA TePla AG
電話:+49(0)641/68690-151
電郵:Roger.pingel@pvatepla.com
http://www.pvatepla.com
消息來源 PVA TePla AG
Multi Crystallizer 是一種采用定向凝固法(基于垂直梯度定向凝固的生產(chǎn)工藝)制備多晶硅錠的設(shè)備,由該設(shè)備生產(chǎn)的硅鑄錠被進一步加工生產(chǎn)后,用于制取光伏產(chǎn)業(yè)所必需的多晶硅片。
新型 HC 設(shè)備,通過使用較高 G5 的坩堝(G5:坩堝高度 480-520mm;舊標準:420mm)從而得以實現(xiàn)最大560公斤的高裝料量。
該型設(shè)備具備獨特的熱場溫控系統(tǒng),通過熱區(qū)卓越的溫度均勻性,使得鑄錠直至外表面都可以實現(xiàn)柱狀凝固,為理想的高鑄錠工藝創(chuàng)造了完美的條件,本機生產(chǎn)的高鑄錠具備與之前由 420mm 坩堝制備的硅錠相同的晶體質(zhì)量水平。從該硅錠中生產(chǎn)出的硅片電池效率較行業(yè)標準平均高出0.4個百分點,并且硅錠良品率達到了75%(硅錠可用重量相對于硅錠總重量)。
通過較高的裝料量,可在 480mm 坩堝內(nèi)得到最佳高度 250mm 的硅塊,該有效高度值意味著硅片切割的最高利用率,并且由此為客戶帶來經(jīng)濟效益的顯著提高。
此外鑒于 MultiCrystallizer VGF732Si HC 設(shè)備的獨立加熱和冷卻方式,該設(shè)備同樣特別適用于準單晶制備工藝。晶體生長工藝中穩(wěn)定的結(jié)晶面可避免故障的發(fā)生,并且有助于獲得最佳的準單晶結(jié)構(gòu)。
關(guān)于設(shè)備祥情,請聯(lián)系:
Roger Pingel 先生
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電郵:Roger.pingel@pvatepla.com
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