愛爾蘭XSiL公司在“2007年國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料展覽會(huì)（SEMICON West 2007）”（7月16日～20日，美國(guó)舊金山）舉行的同時(shí)，上市硅晶圓專用的激光切割機(jī)。

　　前工序處理的300mm（直徑）硅晶圓的厚度一般為775μm。而后工序處理的晶圓的厚度則不同，為了實(shí)現(xiàn)高密度封裝，近來(lái)已減薄到了100μm以下。此次XSiL公司將上市激光切割機(jī)“X300D+”的特點(diǎn)是：可在設(shè)備內(nèi)部連續(xù)進(jìn)行此前分別處理的四道工序，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定生產(chǎn)，降低成本的目標(biāo)。

通過對(duì)切斷側(cè)壁進(jìn)行干式蝕刻來(lái)提高裸片強(qiáng)度

【日經(jīng)BP社報(bào)道】

　　四道工序分別為：（1）用以防止切割顆粒（碎屑）附著的涂裝工序：在晶圓上涂布非離子類水溶性涂劑，以防止切割時(shí)產(chǎn)生的碎屑附著在元件上。（2）小損傷切割工序：使用高功率紫外線脈沖激光器（波長(zhǎng)355nm）高速切割晶圓和DAF（Die Attach Film），以此來(lái)抑制芯片的缺損（崩邊）及損傷。（3）洗凈工序：經(jīng)過涂裝及切割后的晶圓利用設(shè)備下部的洗凈裝置進(jìn)行純水洗凈，去除在最初工序中涂布的涂層及附著的碎屑。（4）無(wú)等離子的干蝕刻工序：使用面向超薄硅晶圓新開發(fā)的XeF2干蝕刻技術(shù)“MaxFlex”，對(duì)切割成片的裸片的切斷側(cè)壁進(jìn)行蝕刻。通過減少給裸片造成的應(yīng)力來(lái)提高強(qiáng)度。（特約撰稿人：橋本哲）