理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“理想晶延”）近日披露的輔導(dǎo)信息顯示，公司將赴科創(chuàng)板上市。

理想晶延成立于2013年，其是一家以 CVD（化學(xué)氣相沉積）技術(shù)為核心，覆蓋半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的高端設(shè)備供應(yīng)商，主要從事太陽能光伏電池、光電子、集成電路制程、封測領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備及相關(guān)輔助設(shè)備研發(fā)、制造和銷售。

目前，理想晶延已經(jīng)推出了原子層沉積 （ALD）設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、銅銦鎵硒（CIGS）蒸鍍等太陽能電池生產(chǎn)中關(guān)鍵工藝設(shè)備及相關(guān)輔助設(shè)備、應(yīng)用于光電子領(lǐng)域的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積 （MOCVD）設(shè)備等。

公開資料顯示，原子層沉積ALD屬于化學(xué)氣相沉積的一種，其具備成膜均勻性好、薄膜密度高、臺階覆蓋性好、低溫沉積等優(yōu)點。2014年起，理想晶延開始布局高效光伏背鈍化設(shè)備開發(fā)，采用國際先進(jìn)的ALD（原子層沉積）技術(shù)，自主研發(fā)了氧化鋁背鈍化ALD設(shè)備。

《科創(chuàng)板日報》記者了解到，增加背鈍化層，可以降低背表面符合，提高背內(nèi)面反射率，而常用的介質(zhì)鈍化材料除了氧化鋁外，還包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，其中氧化鋁薄膜生長及工藝率先取得突破。

據(jù)了解，至2016年ALD市場份額不足10%，但從2018年開始至今新增的PERC（背鈍化高效太陽能電池）產(chǎn)能中的ALD工藝路線占比已超過60%。

公司官網(wǎng)顯示，截至2019年1月，理想晶延已累計出貨ALD設(shè)備100臺（合計產(chǎn)能超過15GW）。

另外，理想晶延產(chǎn)品之一MOCVD設(shè)備面臨著與國內(nèi)MOCVD設(shè)備龍頭——中微公司的競爭，后者拳頭產(chǎn)品Prismo A7打破國際壟斷，已大批量進(jìn)入主流廠商LED產(chǎn)線，逐步實現(xiàn)進(jìn)口替代。

除光伏領(lǐng)域外，2019年底，“理想晶延”通過收購了一家位于新加坡的高端半導(dǎo)體智能裝備公司，開始布局半導(dǎo)體智能裝備領(lǐng)域。

而在股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，截至上述輔導(dǎo)信息披露日，理想晶延股東共計 20 名，其中正泰集團(tuán)股份有限公司（以下簡稱“正泰集團(tuán)”） 直接持有公司 1665萬股股份，占公司總股本的 29.891%；通過溫州輝泰、上海聯(lián)晶間接控制公司 237.35萬股股份，占公司總股本的 11.870%。因此，正泰集團(tuán)合計控制理想晶延41.761%股份，系公司的控股股東。

南存輝通過正泰集團(tuán)、溫州輝泰及上海聯(lián)晶間接控制理想晶延合計41.761%的股份，系理想晶延實際控制人。值得注意的是，正泰集團(tuán)同時也是上市公司正泰股份的大股東，南存輝系正泰股份的實際控制人，這也意味著，若理想晶延最終登陸科創(chuàng)板，南存輝將迎來其作為實控人的第二家上市公司。

另外，容煜半導(dǎo)體技術(shù)（上海）有限公司持有理想晶延17.561%的股份，為公司第二大股東。