此次開發(fā)的是SiC外延生長(zhǎng)薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。具體來說，是把市售的直徑為3英寸、厚度為1cm左右的SiC底板削薄后，在上面形成具有高均勻度的SiC外延生長(zhǎng)薄膜，再實(shí)施氮（N）摻雜）。通過在300mm晶圓制造裝置內(nèi)排列多個(gè)3～4英寸的SiC晶圓，進(jìn)行統(tǒng)一處理，還可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！巴ㄟ^利用東京電子的仿真系統(tǒng)，分析1600～1700℃的高溫下氣體的流動(dòng)狀況并進(jìn)行控制，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC膜均勻成形技術(shù)”。

　　SiC底板的切割方面，三家以與結(jié)晶面成4度的角度切割SiC底板，形成高品質(zhì)薄膜。過去，以8度的角度切割底板較為常見，以更小的角度進(jìn)行切割時(shí)，“極難形成均勻的膜”（京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專業(yè)教授木本恒暢），此次這一問題得到了克服。這樣，在使用6英寸等更大的晶圓時(shí)，可以從昂貴的底板上切割出更多的晶圓。

　　雖然形成有SiC外延生長(zhǎng)膜的SiC晶圓可以買到，但是由于“供貨商只有一家美國(guó)風(fēng)險(xiǎn)公司，品質(zhì)上也存在質(zhì)量不均勻問題”，因此三家決定自行開發(fā)。

    200℃高溫下漏電流仍然較小

　　使用上述晶圓開發(fā)半導(dǎo)體元件的業(yè)務(wù)主要由羅姆負(fù)責(zé)。目前試制完成的有SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）、SiC DMOS FET，以及由二者組成的SiC逆變器模塊等。SiC SBD與以往使用Si的高速二極管相比，擁有即使在200℃的高溫下也很少發(fā)生熱失控和漏電流增大現(xiàn)象，且半導(dǎo)體芯片面積較小的特點(diǎn)?！癝iC元件能夠以5mm見方的芯片處理100～200A的大電流。Si是做不到的”（羅姆研究開發(fā)本部長(zhǎng)高須秀視）。

    SiC DMOS FET也具有在200℃以上的溫度下漏電流小，正向電阻的溫度依賴性小等特點(diǎn)。Si  DMOS則存在著在150℃以上的溫度下漏電流激增，正向電阻隨溫度升高增大的問題。