“更低氧含量、更低衰減、無缺角，鑄錠單晶產(chǎn)品性價比優(yōu)勢明顯”，7月27日，在上海市太陽能學會年會暨先進技術(shù)集成研討會上，江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司技術(shù)服務部經(jīng)理黃春來作《GCL鑄錠單晶技術(shù)進展》報告。他認為，鑄錠單晶產(chǎn)品兼具多、單晶技術(shù)優(yōu)點，和Cz單晶相比，將為客戶帶來更多價值。


黃春來認為，多晶鑄錠硅片產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢為高產(chǎn)能、低光衰、低封裝損失；Cz單晶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率高、位錯密度低、可以采用堿制絨工藝，采用鑄錠方法生產(chǎn)的單晶硅片兼具二者技術(shù)優(yōu)勢。下游客戶使用反饋，疊加PERC技術(shù)后，鑄錠單晶與Cz單晶效率差僅為0.18%，而成本大幅降低。

“鑄錠單晶產(chǎn)品的低光衰源于鑄錠工藝特性和摻鎵技術(shù)”，黃春來表示，數(shù)據(jù)顯示，常規(guī)硼摻雜鑄錠單晶硅片的氧含量僅為Cz單晶硅片的40%，可顯著降低硼氧復合導致的光致衰減；另一方面，鑄錠單晶通過采用鎵元素部分代替硼元素，可以從源頭上減少硼氧復合體的產(chǎn)生，光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上，長期發(fā)電量更高。


黃春來表示，鑄錠單晶硅片還可以更好的兼容下游終端產(chǎn)品，其平臺技術(shù)可自由疊加半片、疊瓦、雙玻雙面等電池和組件技術(shù)，由于不存在缺角，半片組件比Cz單晶組件更美觀；在不允許缺角的疊瓦組件制造時，其硅片面積100%可利用，比Cz單晶面積大2%。高效鑄錠單晶組件（60片）可以封裝到310瓦。

以Cz單晶組件為基準，黃春來測算了鑄錠單晶組件的度電成本。數(shù)據(jù)顯示，在同功率輸出的條件下，鑄錠單晶組件價格比Cz單晶低0.06元/瓦，度電成本低0.006元/度。


黃春來介紹，保利協(xié)鑫2011年即開始研究鑄錠單晶技術(shù)，已經(jīng)發(fā)布第三代產(chǎn)品。目前，保利協(xié)鑫鑄錠熱場工藝、錠檢設備、產(chǎn)品品質(zhì)全面升級，對稱性熱場，分段式加熱控制有效降低位錯，實現(xiàn)高品質(zhì)整錠單晶。繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片將成為對市場有重大影響的差異化產(chǎn)品。