晶體類型

單晶

生長方式

CZ

導(dǎo)電類型

P型

摻雜劑

硼

晶向

<100>±1°

電阻率

0.5~3.0Ω . cm; 3.0~6.0Ω . cm

少子壽命

≥ 10μs

氧含量

≤1.0×10¹⁸atoms/cm³

碳含量

≤ 5×10¹⁶atoms/cm³

硅片邊長

125×125±0.5mm

硅片直徑

165±0.5mm

厚度

180±20μm

總厚度差異

≤30μm

線痕

≤20μm

翹曲度

≤35μm

裂縫

無

崩邊

無

表面質(zhì)量

清潔,無污,無指紋,無凹坑,無孔洞