注1）收購價格為每股40美元，與過去3個月的平均股價相比，溢價47.7％，與2014年8月19日的收盤價相比，溢價50.6％。各項收購手續(xù)將于2014年底至2015年初完成。

英飛凌雖是功率半導(dǎo)體行業(yè)最大規(guī)模的企業(yè)，但其市場份額在2012年不過11.8％（表1）。第二名以后的企業(yè)也只占幾％的份額。2012年，排在第六名的IR公司的份額為5.5％，通過這次收購，英飛凌的份額將達(dá)到近20％，在業(yè)內(nèi)遙遙領(lǐng)先。

從銷售額來看，英飛凌2013會計年度（2012年10月～2013年9月）的銷售額為38億4300萬歐元。IR公司2013年7月～2014年6月的銷售額為11億660萬美元，兩家公司的銷售額簡單相加，約420億元人民幣。

產(chǎn)品和銷路呈互補關(guān)系

英飛凌希望通過此次收購擴(kuò)充產(chǎn)品組合和擴(kuò)大銷路。該公司與IR公司的產(chǎn)品群和技術(shù)重疊的很少。比如，在Si功率半導(dǎo)體方面，英飛凌擅長耐壓1kV以上的IGBT芯片以及采用該芯片的功率模塊等大功率用途的功率半導(dǎo)體。這些功率半導(dǎo)體適用于汽車、鐵路、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電及工業(yè)設(shè)備等用途。
 

而IR公司擅長耐壓1kV以下的功率半導(dǎo)體。比如，低耐壓IGBT、小型智能功率模塊（IPM）、DC-DC轉(zhuǎn)換器用多芯片組件（MCM）等。這些適用于白色家電及AV設(shè)備等。

在Si的下一代材料方面，雙方技術(shù)也很少有重疊。英飛凌正著手研發(fā)SiC，而IR公司正著手研發(fā)GaN，而且都是各自領(lǐng)域的領(lǐng)軍者。

英飛凌于2001年業(yè)內(nèi)領(lǐng)先投產(chǎn)了SiC二極管。IR公司于2010年業(yè)內(nèi)領(lǐng)先投產(chǎn)了配備GaN功率晶體管的MCM。

SiC主要用于耐壓1kV以上的用途，GaN主要用于耐壓1kV以下的用途。也就是說，通過這次收購，英飛凌不僅能用Si材料，還能用GaN材料，生產(chǎn)出從小功率到大功率覆蓋廣泛用途的功率器件。

英飛凌還希望擴(kuò)大銷路。英飛凌對IR在美國市場上的“強大影響力”尤其充滿期待。另外，通過這次收購，還可以幫助英飛凌強化在亞洲市場上的地位。（