（一）太陽能電池產能到2012年將達到33.75GW，亞洲占比60％

全球太陽能電池生產能力走勢（2005年～2007年為實際業(yè)績，2008年～2012年為預測）

　　隨著環(huán)保意識的提高，對太陽能電池工廠的投資趨于旺盛。法國調查公司Yole Developpement（以下簡稱Yole）表示，預計2012年全球太陽能電池的生產能力將達到33.75GW。這一規(guī)模相當于2007年生產能力的約4.7倍。

　　Yole每季度更新一次全球太陽能電池工廠的數(shù)據(jù)庫，此次，該公司統(tǒng)計2008年10月發(fā)行的報告后發(fā)布了《PV Fab Database 2008 IV 日語版》。

　　PV Fab Database 2008 IV的數(shù)據(jù)顯示，2008年太陽能電池的生產能力將比上年增加83.3％，達到13.18GW，2009年將比上年增加53.6％，達到20.25GW。上述產能數(shù)值為需求的2倍以上。盡管如此，太陽能電池廠商仍計劃積極增加產能，可以看出其對太陽能電池市場的期待之大。

　　太陽能電池的生產能力如果從不同地區(qū)角度來看，包括日本在內的亞洲的比率較高。2007年占到全球產能整體的64％，盡管之后市場占有率出現(xiàn)下滑，但預計在2012年之前將維持在60％以上。

　　另外，《PV Fab Database 2008 IV 日語版》在SEMICON Japan 2008展會的日經(jīng)BP展臺可供參觀者閱讀。

?。ǘ┤裟芙鉀Q原料不足問題，夏普或將于09年重登全球產能首位

太陽能電池廠商的生產能力（2008年預測），數(shù)據(jù)提供：法國Yole Developpement

　　2008年11月27日，夏普正式宣布，將與意大利電力公司Enel聯(lián)手在歐洲開展太陽能電池生產。計劃2010年中期生產開始之初的生產能力為480MW，之后有可能擴大到1GW。

　　法國調查公司Yole Developpement（以下簡稱Yole）的數(shù)據(jù)顯示，2008年夏普排名全球太陽能電池生產能力的首位（《PV Fab Database 2008 IV 日語版》）*1。然而，夏普的實際生產量在2007年被德國Q-Cells公司超過。2008年很有可能被中國的尚德電力（Suntech Power）趕超，從而下滑到第3位。其主要原因是多晶硅原料供應不足。

　　如果多晶硅原料供應不足的問題得到解決，憑借連同其歐洲工廠在內的生產量，夏普有可能再次登上排名首位。不過，Yole的數(shù)據(jù)顯示，Q-Cells及尚德電力也計劃提高生產能力，今后的競爭將更加激烈。

　　*1　2008年11月夏普公布的生產能力為710MW，加上薄膜型太陽能電池產能擴大的部分，Yole認定其產能超過800MW。實際上，由于制造設備的更換等原因，夏普的結晶型太陽能電池產能實際上比以前減少了。

   （三）多晶硅材料供求緩解，半導體及太陽能電池需求減速 
 

　　全球多晶硅材料產能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)需求的增長率走勢（2007年為實際數(shù)據(jù)，2008年～2012年為預測）。數(shù)據(jù)來源：多晶硅產能出自法國Yole Developpement；太陽能發(fā)電系統(tǒng)需求出自野村證券金融經(jīng)濟研究所

　　近幾年，因多晶硅材料供不應求而價格暴漲。原因是除了半導體外，太陽能電池的需求也急劇增加。不過，2009年供求關系將有所緩和。

　　首先，半導體對多晶硅的需求不再增長。其背景是因全球經(jīng)濟衰退，電子設備生產停滯。預計此前需求持續(xù)增長的300mm晶圓，08年第四季度也將首次出現(xiàn)負增長。

　　另外，太陽能電池用多晶硅的增長率也明顯減緩。受西班牙調整強制光伏上網(wǎng)電價（Feed In Tariff）制度等影響，09年對太陽能電池的需求增長將不如08年。野村證券金融經(jīng)濟研究所的和田木預測，全球對太陽能發(fā)電系統(tǒng)的需求，08年比上年增長49.1％，而09年將比08年增長25.4％，下降23.7個百分點。

　　此外，法國調查公司Yole Developpement的數(shù)據(jù)顯示，09年多晶硅材料的產能將比08年大幅增長61.2％。是繼08年同比增長104.1％之后的大幅增長。雖然材料廠商都傾向于較實際情況多公布產能，但各廠商都在積極擴大產能這一點是沒有疑義的。

　　太陽能發(fā)電系統(tǒng)對材料的需求還包括結晶硅型以外的材料。而結晶硅型以外的材料增長率較高，因此多晶硅材料的產能增長率似將超過太陽能電池的需求增長率。

   （四）2012年結晶硅型比例擴大至62％，薄膜硅型擴大至12％