序言：中國半導體產(chǎn)業(yè)將進入產(chǎn)業(yè)大發(fā)展的戰(zhàn)略機遇期。全球半導體產(chǎn)業(yè)步入產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移期，發(fā)達國家向高端產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移。同時，全球半導體業(yè)實施輕晶圓廠(Fab-lite)策略，將芯片制造向新興國家轉(zhuǎn)移。Motorola將全球28個Fab縮減至9個，僅保留有優(yōu)勢的Fab。中國半導體產(chǎn)業(yè)人才、技術、市場、資金條件不斷成熟，具備迎接全球半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的客觀條件。

中國半導體設計、制造、封測同步發(fā)展，結構日趨合理，產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善。封測業(yè)曾經(jīng)一度占到中國半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值的70%以上。近年來，設計和制造業(yè)快速發(fā)展，封測相對發(fā)展緩慢，三足鼎立局面形成。半導體產(chǎn)業(yè)垂直分工日益細化促使產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)之間合作意愿加強。全球第三大芯片代工廠中芯國際表示愿為國內(nèi)中小型IC設計公司提供服務。IC設計、制造和封測業(yè)的創(chuàng)新能力不斷加強。

半導體IC（Integrated Circuit）設計產(chǎn)業(yè)活躍發(fā)展。中國半導體IC設計能力整體提升。以市場為導向，按照消費者的需求進行產(chǎn)品創(chuàng)新。IC設計已經(jīng)在多媒體播放器、數(shù)字電視、FM、藍牙、USB等領域取得突破。未來2~3年，IC設計將在智能手機、3G、互聯(lián)網(wǎng)多媒體終端等進行創(chuàng)新。立足本土市場的同時，中國的IC設計積極尋求海外發(fā)展機會。IC設計企業(yè)正醞釀登陸國內(nèi)外資本市場，吸引更多的風險投資與高端人才。泰景、銳迪科、格科微、杭州國芯等準備登陸創(chuàng)業(yè)板或 NASDAQ。IC加快行業(yè)整合重組，提高了市場反應速度和風險抵御能力。

中國半導體封裝測試企業(yè)快速成長。封測業(yè)務外包已成為國際IC大廠的必然選擇，全球封測業(yè)務向中國轉(zhuǎn)移加速。從2007年至今已有10多家IDM企業(yè)的封測工廠關閉。中國封測在技術上開始向國際先進水平靠攏。本土封裝企業(yè)快速成長。江陰長電、南通富士通、天水華天等實力較強的公司已成功上市。

半導體設備和材料的研發(fā)水平和生產(chǎn)能力不斷增強。半導體設備制造業(yè)的發(fā)展得益于半導體產(chǎn)業(yè)的升級加速。本土企業(yè)半導體制造設備的研發(fā)水平提高，表現(xiàn)不俗。格蘭達自主研發(fā)的全自動晶圓檢測機已于2008年實現(xiàn)上市銷售。北方微電子研制出100納米等離子刻蝕機、LED的刻蝕機，獲得多家客戶認證。加大對更高技術要求的半導體制造設備的研發(fā)將成為未來發(fā)展趨勢。

國內(nèi)市場需求旺盛，半導體市場前景廣闊。受PC、手機的快速增長的利好，2010年全球半導體市場預計增長10.2%。國內(nèi)PC、手機、消費電子產(chǎn)品產(chǎn)能的擴大也有力的推動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。09年中國手機產(chǎn)量6.1億部，占全球的50%；PC產(chǎn)量1.8億臺，占60%；彩電產(chǎn)量9900萬臺，占50%。中國半導體產(chǎn)業(yè)2010年第一季度實現(xiàn)銷售收入297.77億元，同比增長46.8%。物聯(lián)網(wǎng)、低碳、智能電網(wǎng)、光伏產(chǎn)業(yè)等新興產(chǎn)業(yè)迅速崛起，將使半導體產(chǎn)業(yè)受益。新興產(chǎn)業(yè)會使用大量的集成電路或半導體分立器件，例如LCD和LED的驅(qū)動電路、太陽能電池的逆變器。越來越多的企業(yè)IT部門購買和升級通訊設備需求也會帶來機會。

國內(nèi)相關政策的出臺，為中國半導體產(chǎn)業(yè)提供了便利和激勵。一直以來，國家在稅收、資金、土地、基礎設施等政策方面的支持力度很大。“核高基”專項與 “02”專項已經(jīng)開始實施，第一批專項資金已發(fā)放。國家曾以財政補貼方式推廣半導體照明產(chǎn)品1.5億只。新的《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》將在2010年年內(nèi)出臺。與“18號文件”相比，新政策加大了扶持力度，擴展了覆蓋范圍。家電下鄉(xiāng)、家電以舊換新、汽車下鄉(xiāng)等經(jīng)濟刺激政策擴大對半導體產(chǎn)品需求。2009年頒布的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》為半導體產(chǎn)業(yè)帶來新的希望。

看好中國半導體市場前景，外資紛紛涌入本土市場。有利于縮短在技術方面與發(fā)達國家之間的差距，建成一流的制造企業(yè)?？梢詭沓渥阗Y金，減少企業(yè)、當?shù)卣呢斦摀?。不久前，摩根士丹利參與中芯國際配股，成為中芯第四大股東。

太陽能電池產(chǎn)業(yè)

發(fā)展現(xiàn)狀

中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)近年來高速發(fā)展，承擔了全球近一半的產(chǎn)能，產(chǎn)品主要銷往歐洲國家。2009年世界太陽電池總產(chǎn)量為9340 MW，中國太陽能電池產(chǎn)量為4382MW，占全球產(chǎn)量的46.92%，但95%以上產(chǎn)品出口國外。2008年全世界太陽能電池總產(chǎn)量達6850MW，中國太陽能電池總產(chǎn)量達1780MW，占全球總量的26%。其中，國內(nèi)太陽能電池龍頭廠無錫尚德 2008年產(chǎn)量約為500MW，排名全球第三。天威英利產(chǎn)出281.5MW，天合光能產(chǎn)出約200MW。

太陽能光伏整體產(chǎn)業(yè)最近幾年發(fā)展勢頭迅猛，產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)表現(xiàn)都較為突出。2009年，全國的多晶硅產(chǎn)量已達到1.8萬噸～2萬噸，2009年，中國太陽能光伏組件產(chǎn)量為2500MW 左右，占全球的3成左右。2009年，太陽能光伏發(fā)電安裝量為160MW，超過過去幾十年累計安裝量的總和。

太陽能產(chǎn)業(yè)多晶硅原料供給過度依賴海外的矛盾逐漸緩解

2008年之前，太陽能上游的多晶硅產(chǎn)業(yè)的提純核心技術主要掌握在國外七大廠商手中。美國的Hemlock，挪威的REC、美國的MEMC、德國的 Wacker、日本的Tokuyama、MitsubishiMaterial和SumitomoTitanium。他們壟斷了全球的多晶硅料供應，獲得了太陽能產(chǎn)業(yè)最豐厚的利潤。

原料依賴進口是制約中國太陽能電池發(fā)展的一大瓶頸。這一矛盾在2009年將得到很大程度的改善，2010年中國多晶硅供需關系的矛盾得到解決。中國雖然已經(jīng)成為太陽能電池生產(chǎn)大國，但是2007年以前多晶硅供給能力卻少的可憐。2007年中國多晶硅需求量超過1萬噸，但是供給量卻只有1130噸。2008 年全年多晶硅需求量超過17000噸，供給量也僅有4110噸，缺口較大，太陽能電池產(chǎn)業(yè)原料對進口依賴度較高。隨著前期建設的多晶硅生產(chǎn)線陸續(xù)投入生產(chǎn)，且生產(chǎn)水平穩(wěn)步提高，2009年中國多晶硅需求缺口已經(jīng)降至6000噸。預計2010年中國多晶硅供需平衡關系將會逆轉(zhuǎn)，全年多晶硅供給量將首次超過需求量。

三年來，國內(nèi)諸多小型企業(yè)盲目投資多晶硅項目，導致產(chǎn)能過剩。工業(yè)和信息化部、國家發(fā)改委在《2009年中國工業(yè)經(jīng)濟運行夏季報告》中指出，2009年上半年，國內(nèi)已立項的多晶硅項目超過50個，投資規(guī)模將超過1300億元，總產(chǎn)能超過23萬噸。倘若這些產(chǎn)能全部實現(xiàn)，相當于全球多晶硅年需求量的兩倍。工信部指出，太陽能光伏等新興產(chǎn)業(yè)的供給速度將遠超需求速度，近期中國光伏產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)過剩。2009年，多晶硅的暴利時代已經(jīng)出現(xiàn)拐點；短期來看，國內(nèi)在建多晶硅廠受到的沖擊最大，這些龐大的投資可能尚未產(chǎn)生效益即成為投資商沉重的包袱。

政府出臺的相關政策助推太陽能產(chǎn)業(yè)的井噴發(fā)展

2003年10月，國家發(fā)改委、科技部制定出未來5年太陽能資源開發(fā)計劃。發(fā)改委“光明工程”將籌資100億元用于推進太陽能發(fā)電技術的應用。計劃到2005年全國太陽能發(fā)電系統(tǒng)總裝機容量達到300兆瓦。

2009年3月，財政部制定了《關于加快推進太陽能光電建筑應用的實施意見》和《太陽能光電建筑應用財政補助資金管理暫行辦法》。中央財政安排專門資金，對符合條件的光電建筑應用示范工程予以補助，以部分彌補光電應用的初始投入。出臺相關財稅扶持政策的地區(qū)將優(yōu)先獲得中央財政支持。

2009年7月21日，財政部、科技部、國家能源局聯(lián)合發(fā)布了《關于實施金太陽示范工程的通知》，決定綜合采取財政補助、科技支持和市場拉動方式，加快國內(nèi)光伏發(fā)電的產(chǎn)業(yè)化和規(guī)?；l(fā)展。三部委計劃在2-3年內(nèi)，采取財政補助方式支持不低于500兆瓦的光伏發(fā)電示范項目，據(jù)估算，國家將為此投入約100億元財政資金。重點扶持用電側(cè)并網(wǎng)光伏,對并網(wǎng)光伏發(fā)電項目，原則上按光伏發(fā)電系統(tǒng)及其配套輸配電工程總投資的50％給予補助。其中偏遠無電地區(qū)的獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)按總投資的70％給予補助；對于光伏發(fā)電關鍵技術產(chǎn)業(yè)化和基礎能力建設項目，主要通過貼息和補助的方式給予支持。除對具體的發(fā)電工程實行補助之外，光伏發(fā)電關鍵技術產(chǎn)業(yè)化示范項目以及標準制定，也被列入補貼的范疇之內(nèi)。其中就包括了硅材料提純、控制逆變器、并網(wǎng)運行等關鍵技術產(chǎn)業(yè)化項目，以及太陽能資源評價、光伏發(fā)電產(chǎn)品及并網(wǎng)技術標準、規(guī)范制定和檢測認證體系建設等。

中國《新興能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》已經(jīng)上報國務院，該計劃指出，2011～2020年，中國將對能源產(chǎn)業(yè)累計直接增加投資5萬億元。根據(jù)其具體細分，除核電和水電之外，可再生能源投資將達到2萬億-3萬億元，其中風電將占約1.5萬億，太陽能投資則達到2000億-3000億?！缎屡d能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》初步計劃到2020年中國的水電裝機容量達到3.8億千瓦，風電裝機1.5億千瓦，核電裝機大約7000-8000萬千瓦，生物質(zhì)發(fā)電3000萬千瓦，太陽能發(fā)電裝機容量達到約2000萬千瓦。相比2007年頒布的《可再生能源中長期發(fā)展規(guī)劃與核電中長期發(fā)展規(guī)劃》，風電、太陽能光伏及核電產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標分別為原先規(guī)劃的5倍、11倍和2倍。

太陽能行業(yè)發(fā)展的關鍵技術已經(jīng)列入國家級研發(fā)計劃中。中國先后提出針對薄膜電池、敏化電池技術的973計劃。針對基礎裝備和材料，如碲化鎘、硒銦銅、薄膜硅電池技術已經(jīng)列入863計。兆瓦級光伏技術應用和關鍵技術問題已經(jīng)列入科技攻關計劃。

財稅方面，光伏企業(yè)固定資產(chǎn)、所得稅及出口退稅方面都有不同程度的優(yōu)惠。各地提出的允許光伏產(chǎn)品由生產(chǎn)型轉(zhuǎn)向消費型的增值稅轉(zhuǎn)型優(yōu)惠，光伏企業(yè)固定資產(chǎn)可以抵扣列入《公共基礎設施項目企業(yè)所得稅優(yōu)惠目錄》。光伏企業(yè)所得稅第一年至第三年免征，第四年到第六年減半；在《高新技術企業(yè)認定管理辦法》中。太陽能光伏技術和發(fā)電技術企業(yè)所得稅稅率為15%，屬于國家鼓勵類項目，進口設備可免征進口關稅和進口環(huán)節(jié)增值稅。2009年國家兩次調(diào)高了光伏產(chǎn)品出口退稅率，使單晶硅棒退稅率達17%，單晶硅片為13%。

中國太陽能產(chǎn)業(yè)技術現(xiàn)狀

目前硅片電池仍是太陽能電池的主流，約占市場份額的90%，而薄膜電池發(fā)展更快，受到投資者熱捧。光伏產(chǎn)業(yè)內(nèi)部，存在著不同的技術路線，一種是以硅材料為主，一種是以化學電池（碲化鎘等）為主，前者技術較為成熟，后者光電轉(zhuǎn)化率較高。在硅材料利用中，也有兩種不同技術路線，一種是晶硅電池，一種是非晶硅薄膜電池，前者轉(zhuǎn)換率較高，但成本、耗能也高，后者成本、耗能低，但衰減快、轉(zhuǎn)換率低。薄膜電池成本便宜，裝載至光伏系統(tǒng)后整體價格和其它能源相比劣勢更小，雖然目前晶體硅電池仍然占據(jù)主要地位，但是薄膜電池未來發(fā)展前景更為看好。

薄膜電池的比重近年來不斷上漲，有望成為今后5年的市場主力。2006年薄膜電池總產(chǎn)量達到249MW，占世界電池產(chǎn)量的10%。2007年薄膜電池產(chǎn)量達到470MW，占世界電池產(chǎn)量的12.6%。2008 年薄膜電池產(chǎn)量達到840MW，占世界太陽能電池比重的14％。2009年薄膜電池達到1245MW，占世界太陽能電池比重的15％。

中國太陽能產(chǎn)業(yè)目前存在的主要問題及未來發(fā)展的機遇

在太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，多晶硅的提純技術的突破將帶來近幾年的市場熱點。在整個太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，中國企業(yè)多數(shù)進入的是位于后端的太陽能電池和組件的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，多晶硅提純環(huán)節(jié)屬于中國制造業(yè)技術較為薄弱的環(huán)節(jié)。中國已投和在建的幾十家多晶硅廠，多數(shù)采用西門子改良工藝，一些關鍵技術中國還沒有掌握。在提煉過程中70%以上的多晶硅都通過氯氣排放了，不僅提煉成本高，而且環(huán)境污染非常嚴重。國內(nèi)一些企業(yè)已將開始小規(guī)模嘗試物理法提純多晶硅，一旦技術成熟形成規(guī)模生產(chǎn)，多晶硅成本和耗能將大大降低，其投資成本約為西門子法的1/10。

放眼未來十年市場，非晶硅薄膜電池技術將成為業(yè)界中的佼佼者。對于不同薄膜電池的發(fā)展，雖然CIS（銅銦硒）和CIGS（銅銦硒鎵）電池轉(zhuǎn)換效率更高，但是工藝的不穩(wěn)定性和原材料的稀缺性都限制了其發(fā)展。CdTe電池已經(jīng)逐漸被市場所認可，生產(chǎn)也進入了大規(guī)模量產(chǎn)階段，成本仍有下降空間，未來幾年市場規(guī)模也將繼續(xù)擴大。不過從長期看鎘的毒性限制了CdTe電池的發(fā)展，市場潛力不如非晶硅薄膜電池。鎘、砷元素有毒，而銦則是微量元素，地殼中含量相對較小，據(jù)有關方面的統(tǒng)計，即使全球銦采集起來也僅能制造30GWp，同時其開采難度相對較大。相比而言，非晶硅電池在原料和工藝穩(wěn)定性上都更具發(fā)展?jié)摿?，但非晶薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率不高，衰退性能成為限制非晶薄膜發(fā)展的技術瓶頸。