盡管我國(guó)高純硅材料產(chǎn)業(yè)在工藝技術(shù)方面取得了突破性進(jìn)展，但仍存在以下幾方面的問(wèn)題：　
　　一是下游市場(chǎng)在外，盲目擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)大

　　目前我國(guó)有十幾家企業(yè)已經(jīng)開(kāi)工建設(shè)高純硅的生產(chǎn)線(xiàn)，如果都按計(jì)劃建設(shè)完成，預(yù)測(cè)2008年我國(guó)高純硅的生產(chǎn)能力將達(dá)到2萬(wàn)噸左右，到2010年將有可能超過(guò)6萬(wàn)噸。我國(guó)高純硅產(chǎn)業(yè)鏈的主要下游市場(chǎng)在國(guó)外，國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電價(jià)格政策尚未出臺(tái)，市場(chǎng)發(fā)展緩慢，一旦以上項(xiàng)目均按計(jì)劃建成，勢(shì)必面臨產(chǎn)能過(guò)剩的局面，威脅行業(yè)的發(fā)展。

　　二是高純硅項(xiàng)目無(wú)序上馬，低水平重復(fù)建設(shè)現(xiàn)象嚴(yán)重

　　高純硅材料產(chǎn)業(yè)的投資資金和技術(shù)門(mén)檻都很高，一個(gè)西門(mén)子法千噸規(guī)模的高純硅項(xiàng)目，投資在10億元人民幣左右。目前，我國(guó)正在建設(shè)的高純硅項(xiàng)目，很多項(xiàng)目是“翻版”項(xiàng)目，工藝技術(shù)裝備基本雷同，總體技術(shù)水平有待驗(yàn)證或完善提高。如果形成無(wú)序上馬、低水平重復(fù)建設(shè)的局面，勢(shì)必帶來(lái)行業(yè)混亂，造成資源和能源的浪費(fèi)，給企業(yè)和國(guó)家造成損失。

　　三是國(guó)內(nèi)整體技術(shù)水平與國(guó)外先進(jìn)水平尚存在差距

　　目前國(guó)內(nèi)千噸級(jí)規(guī)?；a(chǎn)核心技術(shù)尚未完全掌握，與世界先進(jìn)水平還存在一定的差距。已生產(chǎn)出的高純硅材料技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)普遍不高，產(chǎn)品缺乏國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

　　四是人才隊(duì)伍嚴(yán)重缺乏，創(chuàng)新能力不強(qiáng)

　　我國(guó)高純硅在國(guó)內(nèi)仍然屬于新興產(chǎn)業(yè)，技術(shù)貯備和人才缺乏是行業(yè)發(fā)展所面臨的主要困難。

　　五是產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊，有待技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范市場(chǎng)

　　目前國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的高純硅材料質(zhì)量基本在國(guó)標(biāo)電子級(jí)2級(jí)到3級(jí)之間，少量達(dá)到電子級(jí)1級(jí)水平，僅能滿(mǎn)足8英寸以下半導(dǎo)體硅片的制備要求；太陽(yáng)能級(jí)高純硅產(chǎn)品質(zhì)量也不是很穩(wěn)定，需要盡快建立國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)范行業(yè)及市場(chǎng)。

　　六是國(guó)內(nèi)大部分已建和再建生產(chǎn)線(xiàn)對(duì)循環(huán)經(jīng)濟(jì)和副產(chǎn)物綜合利用等問(wèn)題考慮不足。

　　由于采用西門(mén)子法生產(chǎn)高純硅會(huì)產(chǎn)生大量的四氯化硅等副產(chǎn)物，如不妥善處理，將會(huì)對(duì)產(chǎn)品成本、環(huán)境保護(hù)等帶來(lái)不利影響。四氯化硅氫化及綜合利用技術(shù)難度大，國(guó)內(nèi)企業(yè)正在積極攻克，只有實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線(xiàn)上的連續(xù)運(yùn)行，才能形成高純硅生產(chǎn)系統(tǒng)的閉路循環(huán)。

　　建議：

　　首先，加強(qiáng)創(chuàng)新能力建設(shè)，支持創(chuàng)新技術(shù)研發(fā)平臺(tái)建設(shè)高純硅材料工程實(shí)驗(yàn)室，加大技術(shù)研發(fā)與集成創(chuàng)新，并結(jié)合引進(jìn)技術(shù)的消化吸收，提高產(chǎn)業(yè)化技術(shù)水平。

　　其次，由于多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)物料多為易燃、易爆介質(zhì)，非標(biāo)設(shè)備多、系統(tǒng)復(fù)雜，冷熱平衡要求高、技術(shù)難度大，加上多晶硅行業(yè)規(guī)模小，專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才匱乏等原因，有些企業(yè)通過(guò)挖人或引進(jìn)局部技術(shù)、單體設(shè)備等辦法匆忙開(kāi)工建設(shè)，導(dǎo)致新建項(xiàng)目可能會(huì)面臨技術(shù)的可靠性、系統(tǒng)安全性、環(huán)保、投資和知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛等風(fēng)險(xiǎn)，建議想上多晶硅的企業(yè)審慎行事，減少或避免不必要的浪費(fèi)。建議國(guó)家加強(qiáng)高純硅材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的正確引導(dǎo)，重點(diǎn)支持有技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)的企業(yè)進(jìn)一步開(kāi)發(fā)技術(shù)，綜合利用，擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)。建議各地方政府深入了解產(chǎn)業(yè)狀況，不要盲目重復(fù)建設(shè)，嚴(yán)格從節(jié)能、環(huán)保等方面控制項(xiàng)目的備案。保證多晶硅產(chǎn)業(yè)和諧、健康、穩(wěn)定、持久地發(fā)展。

　　第三，高純硅項(xiàng)目是技術(shù)密集的工程化項(xiàng)目，技術(shù)集成必須與關(guān)鍵技術(shù)裝備相結(jié)合，提高我國(guó)高純硅核心裝備制造業(yè)水平，從而提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。

　　第四，開(kāi)展太陽(yáng)能應(yīng)用技術(shù)研究，降低成本，推動(dòng)光伏太陽(yáng)能電池應(yīng)用市場(chǎng)的普及，建議國(guó)家出臺(tái)扶持光伏發(fā)電上網(wǎng)優(yōu)惠政策，引導(dǎo)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展。