三菱電機最新開發(fā)的Smart-1系列IGBT模塊，將首度在6月21日至23日于上海國際會議中心舉行的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，連同其大受市場歡迎的V1系列IPM、新型PV-IPM和新型MPD系列模塊，向參觀者展示其強大的變頻工業(yè)技術，為客戶提供面積更小、損耗更低、和容量更大的功率模塊。

三菱電機的最新開發(fā)的Smart-1系列IGBT模塊，采用第6代CSTBTTM硅片技術和自動壓接裝配技術。模塊的飽和壓降低，功率損耗低，且硅片結溫可高達175°C，硅片運行溫度最高可達150 °C。

Smart-1系列IGBT模塊主要應用于工業(yè)變頻電機驅動和伺服驅動，已開發(fā)出的模塊電路拓撲有兩種，一種是整流逆變制動的CIB（Converter Inverter Brake），另一種是6合1模塊。其中，CIB模塊的電流/電壓等級有15A~35A/1200V，6合1模塊的電流/電壓等級有25A~50A/1200V。
 

圖片說明：Smart-1系列IGBT模塊的照片

近年來為了更有效的利用能源，頻率可調的變頻器廣泛使用于工業(yè)電機的驅動控制系統(tǒng)。變頻器的輸出部分普遍采用內置驅動電路、保護電路的功率半導體模塊IPM來高速開關電流。因此需要損耗低、功率大且尺寸小的IPM。

三菱電機在1998年推出工業(yè)用2單元V系列IPM?，F在推出大功率電機用的低損耗小型V1系列IPM，可用于37kw以上的變頻器和15kw以上的伺服驅動器等。新的V1系列IPM把三菱電機早期的2單元S系列和V系列IPM統(tǒng)一成兩種封裝，采用CSTBTTM硅片具有低損耗的優(yōu)點，最優(yōu)化的集成在硅片上的溫度傳感器，功率循環(huán)能力較以前的產品相比得到顯著提高。電壓分別有600V和1200V兩個等級，電流從200A/1200V到800A/600V，產品豐富。V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與老產品相比降低約20%（PM300DV1A120與PM300DVA120相比較）。另外，V1系列IPM在每一個硅片上都有溫度傳感器用于檢測溫度，與老產品V系列IPM相比，新的V1系列IPM的溫度保護功能得到增強。