豐橋技術(shù)大學(xué)電氣和電子信息工程系的一個(gè)研究小組開發(fā)了一種氯(Cl)替代的Na3SbS4固體電解質(zhì),用于全固態(tài)的鈉(Na)離子電池。與沒有氯替代的樣品相比,硫(S)被氯部分替代的Na3SbS4固體電解質(zhì)的離子傳導(dǎo)性提高了三倍。研究小組還證明,被Cl取代的Na3SbS4有一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)框架,使Na離子更容易在三維空間中移動(dòng),而且他們發(fā)現(xiàn)被Cl取代的Na金屬陽極表現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性。
由于對(duì)大規(guī)模儲(chǔ)能需求的增加,利用低成本和豐富的Na資源的全固態(tài)鈉(Na)離子電池的研究正在加速進(jìn)行。為了在實(shí)際應(yīng)用中使用全固態(tài)鈉離子電池,必須開發(fā)一種在室溫下具有高離子傳導(dǎo)性的固體電解質(zhì)。在各種Na固體電解質(zhì)中,Na3SbS4固體電解質(zhì)在室溫下具有1 mS cm-1或更高的電導(dǎo)率,因此在世界各地被廣泛研究。然而,為了實(shí)現(xiàn)高電導(dǎo)率,需要通過球磨進(jìn)行后處理,而通過較簡(jiǎn)單的合成工藝實(shí)現(xiàn)高離子電導(dǎo)率一直是值得注意的問題。
因此,研究小組采用適合大規(guī)模生產(chǎn)的液相合成方法,開發(fā)了一種被Cl取代的Na3SbS4固體電解質(zhì)。通過在Na3SbS4固體電解質(zhì)中用Cl部分替代S,他們?cè)谑覝叵碌碾x子電導(dǎo)率比沒有替代的樣品(0.3mS cm-1)提高了三倍(0.9mS cm-1)。此外,他們還對(duì)離子傳導(dǎo)途徑進(jìn)行了可視化,以澄清由于氯的取代而發(fā)生的結(jié)構(gòu)變化對(duì)傳導(dǎo)特性的影響。結(jié)果,他們證明了在Na3SbS4中用Cl部分取代S導(dǎo)致Na離子與S(或Cl)的局部結(jié)合松散,形成了Na與S(或Cl)之間的弱靜電作用的晶體結(jié)構(gòu)框架,特別是促進(jìn)了離子沿晶體c軸的擴(kuò)散。通過Cl替代而增加的離子傳導(dǎo)性是由于形成了一個(gè)具有三維離子擴(kuò)散途徑的晶體結(jié)構(gòu)。
此外,研究小組發(fā)現(xiàn),與沒有Cl替代的樣品相比,Cl替代的Na3SbS4固體電解質(zhì)在Na金屬陽極上表現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性。他們證明,這種電化學(xué)穩(wěn)定性的改善與陽極和固體電解質(zhì)之間的界面電阻的減少有關(guān),并且重度Cl摻雜能有效地改善與陽極的穩(wěn)定性。
研究小組發(fā)現(xiàn)了一個(gè)重要的設(shè)計(jì)原則,即開發(fā)具有理想特性的固體電解質(zhì),如高離子傳導(dǎo)性和卓越的電化學(xué)穩(wěn)定性。他們認(rèn)為,這項(xiàng)研究的固體電解質(zhì)可以與液相涂層技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)全固態(tài)Na離子電池的高存儲(chǔ)容量和穩(wěn)定循環(huán)。
由于對(duì)大規(guī)模儲(chǔ)能需求的增加,利用低成本和豐富的Na資源的全固態(tài)鈉(Na)離子電池的研究正在加速進(jìn)行。為了在實(shí)際應(yīng)用中使用全固態(tài)鈉離子電池,必須開發(fā)一種在室溫下具有高離子傳導(dǎo)性的固體電解質(zhì)。在各種Na固體電解質(zhì)中,Na3SbS4固體電解質(zhì)在室溫下具有1 mS cm-1或更高的電導(dǎo)率,因此在世界各地被廣泛研究。然而,為了實(shí)現(xiàn)高電導(dǎo)率,需要通過球磨進(jìn)行后處理,而通過較簡(jiǎn)單的合成工藝實(shí)現(xiàn)高離子電導(dǎo)率一直是值得注意的問題。
因此,研究小組采用適合大規(guī)模生產(chǎn)的液相合成方法,開發(fā)了一種被Cl取代的Na3SbS4固體電解質(zhì)。通過在Na3SbS4固體電解質(zhì)中用Cl部分替代S,他們?cè)谑覝叵碌碾x子電導(dǎo)率比沒有替代的樣品(0.3mS cm-1)提高了三倍(0.9mS cm-1)。此外,他們還對(duì)離子傳導(dǎo)途徑進(jìn)行了可視化,以澄清由于氯的取代而發(fā)生的結(jié)構(gòu)變化對(duì)傳導(dǎo)特性的影響。結(jié)果,他們證明了在Na3SbS4中用Cl部分取代S導(dǎo)致Na離子與S(或Cl)的局部結(jié)合松散,形成了Na與S(或Cl)之間的弱靜電作用的晶體結(jié)構(gòu)框架,特別是促進(jìn)了離子沿晶體c軸的擴(kuò)散。通過Cl替代而增加的離子傳導(dǎo)性是由于形成了一個(gè)具有三維離子擴(kuò)散途徑的晶體結(jié)構(gòu)。
此外,研究小組發(fā)現(xiàn),與沒有Cl替代的樣品相比,Cl替代的Na3SbS4固體電解質(zhì)在Na金屬陽極上表現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性。他們證明,這種電化學(xué)穩(wěn)定性的改善與陽極和固體電解質(zhì)之間的界面電阻的減少有關(guān),并且重度Cl摻雜能有效地改善與陽極的穩(wěn)定性。
研究小組發(fā)現(xiàn)了一個(gè)重要的設(shè)計(jì)原則,即開發(fā)具有理想特性的固體電解質(zhì),如高離子傳導(dǎo)性和卓越的電化學(xué)穩(wěn)定性。他們認(rèn)為,這項(xiàng)研究的固體電解質(zhì)可以與液相涂層技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)全固態(tài)Na離子電池的高存儲(chǔ)容量和穩(wěn)定循環(huán)。