黑斑黑點問題一直是電池片良率提升的前兩項問題,黑斑的種類多,從異常的產(chǎn)生來講可以分為兩類,一類為偶然工藝原因,此類主要有不規(guī)則、不定期的特點,另一類是規(guī)則出現(xiàn),特征性強。本文主要通過實驗設計找出黑斑黑點問題展開分析并得出一些結論供大家學習參考。
延伸:
減拋刻蝕工序:去除非擴散面及四周的磷硅玻璃,硅片存在藥液殘留風險,裸露在環(huán)境中,容易受到粉塵污染;退火工序:抗PID,消除表面的晶格缺陷,硅片直接裸露在環(huán)境中,容易受到粉塵污染,高溫工藝加劇污染程度;背鈍化工序:通過在電池片背面生長AlOx+SiNx復合膜對電池的背表面進行鈍化,極大地改善電池片的長波響應,有效降低背表面復合,提高開路電壓,增加背表面反射;硅片直接裸露在環(huán)境,容易受到粉塵污染,鈍化膜不均勻?qū)е潞诎弋a(chǎn)生;正鍍膜工序:在硅片表面均勻的鍍上一層高效的減反射膜,減少光的反射損失,增強了吸收光的強度,提高電池效率,同時有鈍化作,正膜成膜前硅片直接裸露在環(huán)境,容易受到粉塵污染。
減拋刻蝕工序:去除非擴散面及四周的磷硅玻璃,硅片存在藥液殘留風險,裸露在環(huán)境中,容易受到粉塵污染;退火工序:抗PID,消除表面的晶格缺陷,硅片直接裸露在環(huán)境中,容易受到粉塵污染,高溫工藝加劇污染程度;背鈍化工序:通過在電池片背面生長AlOx+SiNx復合膜對電池的背表面進行鈍化,極大地改善電池片的長波響應,有效降低背表面復合,提高開路電壓,增加背表面反射;硅片直接裸露在環(huán)境,容易受到粉塵污染,鈍化膜不均勻?qū)е潞诎弋a(chǎn)生;正鍍膜工序:在硅片表面均勻的鍍上一層高效的減反射膜,減少光的反射損失,增強了吸收光的強度,提高電池效率,同時有鈍化作,正膜成膜前硅片直接裸露在環(huán)境,容易受到粉塵污染。
解決思路:
原因1解決思路:控制5.0μm級粉塵,減少0.5μm級懸浮顆粒,可有效減少車間黑斑發(fā)生率;鍍膜工序的車間潔凈度控制在千級范圍內(nèi),黑斑發(fā)生率能控制在2%以下。
原因2解決思路:優(yōu)化氧化鋁沉積溫度、壓力、流量等參數(shù);提升氧化鋁鈍化的均勻性;增強濕法清洗效果,減少1藥液殘留。
延伸:
減拋刻蝕工序:去除非擴散面及四周的磷硅玻璃,硅片存在藥液殘留風險,裸露在環(huán)境中,容易受到粉塵污染;退火工序:抗PID,消除表面的晶格缺陷,硅片直接裸露在環(huán)境中,容易受到粉塵污染,高溫工藝加劇污染程度;背鈍化工序:通過在電池片背面生長AlOx+SiNx復合膜對電池的背表面進行鈍化,極大地改善電池片的長波響應,有效降低背表面復合,提高開路電壓,增加背表面反射;硅片直接裸露在環(huán)境,容易受到粉塵污染,鈍化膜不均勻?qū)е潞诎弋a(chǎn)生;正鍍膜工序:在硅片表面均勻的鍍上一層高效的減反射膜,減少光的反射損失,增強了吸收光的強度,提高電池效率,同時有鈍化作,正膜成膜前硅片直接裸露在環(huán)境,容易受到粉塵污染。
減拋刻蝕工序:去除非擴散面及四周的磷硅玻璃,硅片存在藥液殘留風險,裸露在環(huán)境中,容易受到粉塵污染;退火工序:抗PID,消除表面的晶格缺陷,硅片直接裸露在環(huán)境中,容易受到粉塵污染,高溫工藝加劇污染程度;背鈍化工序:通過在電池片背面生長AlOx+SiNx復合膜對電池的背表面進行鈍化,極大地改善電池片的長波響應,有效降低背表面復合,提高開路電壓,增加背表面反射;硅片直接裸露在環(huán)境,容易受到粉塵污染,鈍化膜不均勻?qū)е潞诎弋a(chǎn)生;正鍍膜工序:在硅片表面均勻的鍍上一層高效的減反射膜,減少光的反射損失,增強了吸收光的強度,提高電池效率,同時有鈍化作,正膜成膜前硅片直接裸露在環(huán)境,容易受到粉塵污染。
解決思路:
原因1解決思路:控制5.0μm級粉塵,減少0.5μm級懸浮顆粒,可有效減少車間黑斑發(fā)生率;鍍膜工序的車間潔凈度控制在千級范圍內(nèi),黑斑發(fā)生率能控制在2%以下。
原因2解決思路:優(yōu)化氧化鋁沉積溫度、壓力、流量等參數(shù);提升氧化鋁鈍化的均勻性;增強濕法清洗效果,減少1藥液殘留。