“鑄錠單晶是太陽能硅材料重要的發(fā)展方向,希望鑄錠單晶技術(shù)在今后1-2年重新開始大規(guī)模應(yīng)用,”11月8-10日,第十四屆CSPV大會(huì)在西安舉辦,中國(guó)科學(xué)院院士、硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任楊德仁在報(bào)告中詳細(xì)闡述了鑄錠單晶的前世今生。會(huì)上,來自協(xié)鑫的長(zhǎng)晶技術(shù)總監(jiān)胡動(dòng)力博士也在工業(yè)化應(yīng)用的層面介紹了鑄錠單晶技術(shù)的進(jìn)展。他表示,在與直拉單晶實(shí)現(xiàn)同瓦輸出的情況下,鑄錠單晶硅片價(jià)格低0.3-0.4元/片,給客戶更高的性價(jià)比。
“第三條路線:鑄錠單晶兼具低成本和高效率”
在《鑄造單晶硅材料的生長(zhǎng)和缺陷控制》報(bào)告中,楊德仁院士表示,十余年來,多晶、單晶市場(chǎng)份額變化的鐘擺效應(yīng),是市場(chǎng)政策、技術(shù)發(fā)展共同作用的結(jié)果,兩種技術(shù)路線將會(huì)共存,誰也不會(huì)簡(jiǎn)單消滅誰。而第三種技術(shù)路線——鑄錠單晶,利用籽晶通過鑄錠的方法生長(zhǎng)出單晶硅,把兩種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來,既有低成本,低能耗,也有高質(zhì)量、高效率。
“第三條路線:鑄錠單晶兼具低成本和高效率”
在《鑄造單晶硅材料的生長(zhǎng)和缺陷控制》報(bào)告中,楊德仁院士表示,十余年來,多晶、單晶市場(chǎng)份額變化的鐘擺效應(yīng),是市場(chǎng)政策、技術(shù)發(fā)展共同作用的結(jié)果,兩種技術(shù)路線將會(huì)共存,誰也不會(huì)簡(jiǎn)單消滅誰。而第三種技術(shù)路線——鑄錠單晶,利用籽晶通過鑄錠的方法生長(zhǎng)出單晶硅,把兩種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來,既有低成本,低能耗,也有高質(zhì)量、高效率。
“所以鑄錠單晶技術(shù)在過去十年以及最近得到了非常大的關(guān)注”,楊德仁院士表示,從1977年第一次在國(guó)外雜志上發(fā)表,到2006年轉(zhuǎn)換效率做到18%,再到2010年鑄錠單晶技術(shù)實(shí)際上已經(jīng)工業(yè)化應(yīng)用,市場(chǎng)份額占到15%-20%。楊德仁強(qiáng)調(diào),鑄錠單晶的優(yōu)勢(shì)在于電阻率更加均勻,比多晶增加1%以上的轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)又保持了多晶的低光衰優(yōu)勢(shì),光衰僅僅是直拉單晶的20%-30%。
楊德仁院士同時(shí)指出,鑄錠單晶在過去一段時(shí)間面臨位錯(cuò)密度、單晶率、材料利用率和籽晶成本等問題挑戰(zhàn),其中位錯(cuò)是關(guān)鍵因素。“我們的研究團(tuán)隊(duì)提出增加晶界的改進(jìn)方法,‘以毒攻毒’,可以有效的降低位錯(cuò)。我們希望這樣的技術(shù)在今后1-2年重新開始大規(guī)模應(yīng)用”,楊德仁院士說。
“鑄錠單晶將贈(zèng)送‘陽臺(tái)’和‘飄窗’實(shí)現(xiàn)同瓦輸出”
鑄錠單晶在2010年左右規(guī)模量產(chǎn),協(xié)鑫、LDK,昱輝都有大量出貨。近幾年來,鑄錠單晶技術(shù)未能大規(guī)模應(yīng)用,除了高效多晶等新技術(shù)的快速發(fā)展占領(lǐng)市場(chǎng)外,成本問題也一直是主要的突破方向。
“目前保利協(xié)鑫鑄錠單晶已經(jīng)發(fā)展到第三代產(chǎn)品,通過籽晶多次回用,籽晶成本下降60%”,在“晶硅材料技術(shù)與裝備”分會(huì)場(chǎng),保利協(xié)鑫胡動(dòng)力博士說,“此外,依靠G8大尺寸硅錠,薄硅片等方法,成本已經(jīng)進(jìn)一步下降。
除了成本優(yōu)勢(shì),胡動(dòng)力博士認(rèn)為,保利協(xié)鑫鑄錠單晶硅片技術(shù)優(yōu)勢(shì)也比較顯著。相比于直拉單晶15ppma,鑄錠單晶研發(fā)氧含量最低到2ppma,確保更低的光衰;硅片電阻率分布更窄,效率進(jìn)一步提升,與直拉單晶相差0.2%以內(nèi)。
“鑄錠單晶將贈(zèng)送‘陽臺(tái)’和‘飄窗’”,胡動(dòng)力博士形象比喻道,“轉(zhuǎn)換效率差距可以用157.75mm的大尺寸硅片彌補(bǔ)。由于不存在缺角,鑄錠單晶硅片面積100%可利用,比直拉單晶面積大2%,與同尺寸直拉單晶硅片實(shí)現(xiàn)同瓦輸出。同時(shí),每片價(jià)格低0.3-0.4元,經(jīng)測(cè)算,選擇鑄錠單晶較直拉單晶收益高0.06元/W。高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310瓦。”
胡動(dòng)力博士指出,大尺寸化和定制化是未來技術(shù)趨勢(shì),鑄錠單晶能低成本實(shí)現(xiàn)166mm和長(zhǎng)方形硅片的定制化生產(chǎn),未來更具優(yōu)勢(shì)。對(duì)于三類片的處理方法,胡動(dòng)力博士表示,利用濕法黑硅技術(shù),三類片黑硅制絨效率較產(chǎn)線多晶黑硅片高0.21%,與多晶黑硅外觀幾乎一致,而且顏色更加均一。
目前,保利協(xié)鑫鑄錠熱場(chǎng)工藝、高純坩堝、錠檢設(shè)備已經(jīng)全面升級(jí),繼金剛線切黑硅片之后,鑄錠單晶硅片將成為對(duì)市場(chǎng)有重大影響的差異化產(chǎn)品。