據(jù)悉,2016金剛線切割與黑硅技術論壇將于12月13日在江蘇無錫召開。會議將探討“十三五”光伏行業(yè)展望與太陽電池市場前景,金剛線切割技術進展與工藝優(yōu)化,金剛線切割多晶硅片的挑戰(zhàn)與解決方案,干法黑硅與濕法黑硅工藝路線比較,黑硅技術成本分析與效率提升趨勢等。
此次會議的報告內(nèi)容精彩紛呈,來自保利協(xié)鑫,晶科,協(xié)鑫集成,順風光電,中節(jié)能太陽能,中村超硬,1366 Technologies,南京納鑫,南京航天航空大學,比太科技,大連連城,中科院微電子所等公司的領導專家將做精彩演講報告,金剛線切多晶解決方案與黑硅工藝路線將是討論重點。
眾所周知,平價上網(wǎng)是光伏發(fā)電的終極目標。在晶體硅太陽電池生產(chǎn)中,硅片環(huán)節(jié)成本占比最大,降低硅片成本對于實現(xiàn)光伏平價上網(wǎng)至關重要。金剛線切割硅片是近年發(fā)展起來的新型技術,相比傳統(tǒng)的砂漿切割工藝,具有單位產(chǎn)能硅耗少、切割效率高、輔材成本低和可切割薄硅片等優(yōu)勢。單晶硅太陽電池由于硅片端金剛線切片技術的普及,成本快速下降,市場份額有望從2015年的15%提升到2016年的25%以上。
在此背景下,多晶硅行業(yè)盡快引入金剛線切割工藝顯得尤為緊迫。金剛線切割多晶硅片主要面臨斷線風險和制絨困難兩大問題。金剛線制備與應用技術的優(yōu)化可以有效降低金剛線切多晶硅時鑄錠晶體硬點導致的斷線風險。黑硅技術可以優(yōu)化陷光效果,有效解決金剛線切割的多晶硅片反射率高,制絨困難的問題。
黑硅技術分為干法黑硅與濕法黑硅兩種技術路線,是進一步提高多晶太陽電池效率的有效途徑。金剛線切割多晶硅片和黑硅技術的普及將再次拉大多晶與單晶在硅片端的成本差距,增強多晶硅太陽電池路線的競爭力。而光伏市場對電池及組件成本降低和效率提升的持續(xù)要求,也將為金剛線切割和黑硅技術帶來良好的市場機遇。
此次會議的報告內(nèi)容精彩紛呈,來自保利協(xié)鑫,晶科,協(xié)鑫集成,順風光電,中節(jié)能太陽能,中村超硬,1366 Technologies,南京納鑫,南京航天航空大學,比太科技,大連連城,中科院微電子所等公司的領導專家將做精彩演講報告,金剛線切多晶解決方案與黑硅工藝路線將是討論重點。
眾所周知,平價上網(wǎng)是光伏發(fā)電的終極目標。在晶體硅太陽電池生產(chǎn)中,硅片環(huán)節(jié)成本占比最大,降低硅片成本對于實現(xiàn)光伏平價上網(wǎng)至關重要。金剛線切割硅片是近年發(fā)展起來的新型技術,相比傳統(tǒng)的砂漿切割工藝,具有單位產(chǎn)能硅耗少、切割效率高、輔材成本低和可切割薄硅片等優(yōu)勢。單晶硅太陽電池由于硅片端金剛線切片技術的普及,成本快速下降,市場份額有望從2015年的15%提升到2016年的25%以上。
在此背景下,多晶硅行業(yè)盡快引入金剛線切割工藝顯得尤為緊迫。金剛線切割多晶硅片主要面臨斷線風險和制絨困難兩大問題。金剛線制備與應用技術的優(yōu)化可以有效降低金剛線切多晶硅時鑄錠晶體硬點導致的斷線風險。黑硅技術可以優(yōu)化陷光效果,有效解決金剛線切割的多晶硅片反射率高,制絨困難的問題。
黑硅技術分為干法黑硅與濕法黑硅兩種技術路線,是進一步提高多晶太陽電池效率的有效途徑。金剛線切割多晶硅片和黑硅技術的普及將再次拉大多晶與單晶在硅片端的成本差距,增強多晶硅太陽電池路線的競爭力。而光伏市場對電池及組件成本降低和效率提升的持續(xù)要求,也將為金剛線切割和黑硅技術帶來良好的市場機遇。