近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI材料課題組在柔性Si/Ge納米帶確定性組裝方面獲得新進(jìn)展。課題組提出了“邊緣-剪切轉(zhuǎn)移”（Edge-Cutting Transfer）技術(shù)，成功地實(shí)現(xiàn)了柔性Si/Ge納米帶在柔性基底上的可控轉(zhuǎn)移及確定性組裝。相關(guān)研究成果以Deterministic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions 為題作為封面文章（Front Cover）發(fā)表在Small 2015年第33期上。該研究工作還引起了Materials Views China 的關(guān)注和追蹤報(bào)道。

在柔性電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，需將傳統(tǒng)剛性襯底上的功能材料轉(zhuǎn)移至柔性基底。然而，在材料轉(zhuǎn)移過(guò)程中，相關(guān)材料往往會(huì)出現(xiàn)陣列的排列次序混亂、偏移等問(wèn)題，給后續(xù)柔性電子器件的制造帶來(lái)挑戰(zhàn)。上海微系統(tǒng)所SOI材料課題組針對(duì)材料轉(zhuǎn)移過(guò)程中的問(wèn)題，以Si/Ge納米薄膜為例，提出了一種簡(jiǎn)易、可控的技術(shù)手段，即“邊緣-剪切轉(zhuǎn)移”技術(shù)。該技術(shù)以圖形化SOI/GOI作為源材料，采用HF酸溶液對(duì)埋氧層進(jìn)行腐蝕制備出懸空的Si/Ge納米帶，并通過(guò)調(diào)節(jié)腐蝕時(shí)間控制懸空納米帶的寬度；在此基礎(chǔ)上，利用埋氧層腐蝕邊界對(duì)懸空Si/Ge納米帶的固定作用來(lái)保持原有圖形化時(shí)的排列次序，從而成功制備出與它排列次序完全一致的柔性Si/Ge納米帶，實(shí)現(xiàn)了Si/Ge納米帶在柔性基底上的確定性組裝。

該工作中采用的柔性Si/Ge納米薄膜具有出眾的電學(xué)、光學(xué)、熱電、光電等物理學(xué)性質(zhì)和優(yōu)異的機(jī)械柔性，是當(dāng)今無(wú)機(jī)柔性電子技術(shù)領(lǐng)域中重要功能材料之一；該工作中所提出的“邊緣-剪切轉(zhuǎn)移”技術(shù)可以簡(jiǎn)便、可控地將柔性無(wú)機(jī)單晶納米薄膜應(yīng)用于柔性電子技術(shù)，同時(shí)有望與卷對(duì)卷（roll-to-roll）工藝結(jié)合拓展于規(guī)模生產(chǎn)。

該工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新研究群體、優(yōu)秀青年基金、中國(guó)科學(xué)院高遷移率材料創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)等相關(guān)研究計(jì)劃支持。