“太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率最大提高了1成”——。東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)開發(fā)出了通過(guò)將原料制成霧狀來(lái)形成薄膜的霧化CVD(化學(xué)氣相沉積)裝置“TMmist”。由于采用非真空工藝、不使用等離子體,因此有望減少裝置的設(shè)置面積和初期投資,并提高基材薄膜的特性。東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)將瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能電池透明導(dǎo)電膜的成膜等用途,力爭(zhēng)2014年度獲得約10億日元、2015年度獲得約20億日元的訂單。
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用超聲波霧化
使用真空工藝的已有濺射裝置等需要真空室及真空泵等附屬設(shè)備。隨著基板的大型化,這些設(shè)備的設(shè)置面積及初期投資將會(huì)大幅增加。而且還無(wú)法避免等離子體給基材薄膜造成的損傷。
因此,東芝三菱電機(jī)系統(tǒng)將開發(fā)目標(biāo)瞄準(zhǔn)了利用非真空工藝、無(wú)等離子體損傷的成膜技術(shù)。該公司著眼于日本京都大學(xué)等研究的霧化CVD技術(shù),以該技術(shù)為基礎(chǔ),從2007年開始致力于產(chǎn)品化。
TMmist大致由(1)將原料制成霧狀的超聲波噴霧器、(2)向生產(chǎn)線上流過(guò)的寬1m左右的基板供應(yīng)霧狀原料的細(xì)長(zhǎng)整流噴嘴、(3)加熱基板的加熱器等構(gòu)成(圖1)。
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東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)開發(fā)的霧化CVD裝置(a)。利用超聲波使原料溶液霧化后,在基板上分解反應(yīng),形成薄膜(b)。(圖片出外:東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng))
具體操作過(guò)程如下。先由(1)超聲波噴霧器利用1.6M~2.4MHz超聲波將成膜原料溶液制成直徑數(shù)μm的霧狀液滴注1)。接著,將霧狀原料與載氣混合,輸送至(2)整流噴嘴,噴到基板上。然后,噴到基板上的原料(3)在加熱器產(chǎn)生的熱效應(yīng)下分解反應(yīng),形成薄膜。
實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化時(shí)的最大課題是如何優(yōu)化對(duì)膜厚及膜質(zhì)不均問(wèn)題有重大影響的(2)整流噴嘴內(nèi)部構(gòu)造。這時(shí)需要利用整流噴嘴使霧化的原料均質(zhì)化,噴到基板上。東芝三菱電機(jī)系統(tǒng)在母公司三菱電機(jī)的研究所的協(xié)助下,對(duì)霧化原料的流動(dòng)與內(nèi)部構(gòu)造之間的關(guān)系進(jìn)行了反復(fù)分析。另外,還對(duì)(1)超聲波噴霧器使用的原料溶液的成分等實(shí)施了優(yōu)化,同時(shí)改進(jìn)了(3 )加熱器的機(jī)構(gòu),從而實(shí)現(xiàn)了大面積基板的均勻加熱注2)。
注1)泄漏至裝置外部的超聲波數(shù)量符合制造設(shè)備業(yè)界團(tuán)體SEM(I SemiconductorEquipment and Materials International)的標(biāo)準(zhǔn)。
注2)在寬1m的基板上形成透明導(dǎo)電膜時(shí),膜厚不均程度為±20%。通過(guò)在產(chǎn)生線上排列多個(gè)整流噴嘴、重復(fù)成膜,便可將成膜膜厚的不均程度降至±10%。
憑借上述措施,TMmist可獲得與濺射裝置等同等的膜質(zhì)。以透明導(dǎo)電膜的特性為例,薄膜電阻值達(dá)到了9.5Ω/□,波長(zhǎng)400n~800nm的可見(jiàn)光的平均透射率達(dá)到了90.5%注3)??蓾M足太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電膜要求的10Ω/□以下、80%以上的標(biāo)準(zhǔn)(圖2)。
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利用霧化CVD法形成的透明導(dǎo)電膜的薄膜電阻達(dá)到9.5Ω/□,波長(zhǎng)400n~800nm的可見(jiàn)光的平均透射率達(dá)到90.5%。(圖片出外:東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng))
無(wú)損傷
此次裝置比濺射裝置出色的是,不僅能夠減少采用非真空工藝時(shí)較大的設(shè)置面積及初期投資,而且還可憑借無(wú)等離子體損傷這一點(diǎn)來(lái)提高基材薄膜的特性。
其中,無(wú)等離子體損傷的良好效果得到了太陽(yáng)能電池廠商的證實(shí)。有廠商報(bào)告稱,用于CIGS(Cu-In-Ga-Se)型太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電膜時(shí),“轉(zhuǎn)換效率(最大)提高了1成”。在良好的結(jié)果鼓舞下,已開始有太陽(yáng)能廠商考慮導(dǎo)入試制機(jī)。
另外,成膜速度也比濺射裝置高。濺射裝置約為200nm/分鐘,而TMmist達(dá)到了650nm/分鐘。其原因估計(jì)是霧狀液體能夠比氣體實(shí)現(xiàn)更多的原料供給量。
作為TMmist最初的應(yīng)用領(lǐng)域,東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)選擇的是今后市場(chǎng)有望增長(zhǎng)的CIGS型太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電膜。而且今后該公司還將開拓其他用途,比如顯示器等使用的透明導(dǎo)電膜,以及使用有機(jī)原料的有機(jī)EL等(圖3)。其中,在有機(jī)EL方面,除了用于透明導(dǎo)電膜之外,還可用于發(fā)光層、電子傳輸層及正孔傳輸層等。
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東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)設(shè)想將霧化CVD裝置用于CIGS型太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電膜用途,此外還考慮開拓有機(jī)EL等用途。(圖片出處:東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng))