對(duì)于ESSTM和多晶參考電池，測得的光誘發(fā)太陽能電池效率退化低于0.8%。對(duì)加工的全部硅片取得-10V和-12V時(shí)的反向電壓特性，結(jié)果示于下面的圖4。反向電流應(yīng)小于3A，到目前為止，大多數(shù)電池能實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。

研究也特別關(guān)注用不同制絨方法進(jìn)一步提高-14.5V時(shí)的反向電流-電壓特性，仍能有高的效率。為達(dá)到這些目標(biāo)，有5種不同制絨方法應(yīng)用于ESSTM硅片和多晶硅片：均勻制絨（isotexture）、軟均勻制絨、堿制絨、均勻制絨和堿制絨混合、NaOH平面刻蝕（flat etching）。應(yīng)用堿制絨減低了-14.5V時(shí)的反向電流，從9.2A減到3.3A，而與均勻制絨的太陽能電池比較能達(dá)到同樣的效率。NaOH平面刻蝕的太陽能電池上反向電流進(jìn)一步減少，也顯示有很好的電池效率，盡管光反射率比較高且Jsc比較低。對(duì)于多晶硅太陽能電池，用所有制絨方法的反向電流均小于2A?；旌现平q和NaOH平面刻蝕導(dǎo)致反向電壓-電流特性改善，但必須注意，NaOH平面刻蝕的太陽能電池的效率比所有其他方法加工的太陽能電池平均低0.2%絕對(duì)值。

結(jié)論

Elkem Solar的太陽能級(jí)硅冶金法工藝路線全生命周期評(píng)估已經(jīng)說明，Elkem Solar Silicon®的能量回收時(shí)間和碳足跡比傳統(tǒng)西門子型太陽能級(jí)硅顯著少。Elkem Solar工廠達(dá)到其最大產(chǎn)能時(shí)，這種情景將進(jìn)一步改善。

在ISC Konstanz把由70% ESSTM硅錠和參考多晶硅錠制得的硅片加工成太陽能電池?？偟恼f來，由70% ESSTM硅錠制得的硅片的效率比參考材料高?；贓SSTM的硅片的平均效率在16.5%和16.7%之間，最好的電池達(dá)到17.0%。參考材料的平均效率在16.3%和16.4%之間。由于摻雜濃度較高，ESS硅片的Voc較高，又因較低的電阻率使串聯(lián)電阻較低，ESS硅片有較高的FF。二種硅錠的Jsc處于同一水平。對(duì)大多數(shù)電池來說，硅片的反向電壓行為表明反向電流小于3A，證明通過制絨能進(jìn)一步提高反向電流。對(duì)ESSTM和多晶硅參考太陽能電池二者，光誘發(fā)的效率退化小于0.8%相對(duì)值。