世紀新能源網(wǎng)據(jù)日經(jīng)BP社報道:松下公司獨立開發(fā)的HIT太陽能電池日前在實驗室水平下實現(xiàn)了24.7%的轉(zhuǎn)換效率,達到了100平方厘米以上實用尺寸結(jié)晶硅太陽能電池單元全球最高轉(zhuǎn)換效率。比此前的實用尺寸單晶硅太陽能電池的最高值高0.5個百分點,比HIT太陽能電池的最高值高0.8個百分點,實際驗證了HIT太陽能電池的較高轉(zhuǎn)換效率。
HIT太陽能電池采用結(jié)晶與非晶2種硅組合而成的混合結(jié)構(gòu),在作為發(fā)電層的單晶硅基板表面疊加非晶硅層,從而可減輕太陽能電池內(nèi)部產(chǎn)生的正負電子結(jié)合的再結(jié)合損失現(xiàn)象,通過抑制電流減少及電壓下降來提高太陽能電池的輸出。
此次確立了可在抑制基板表面損傷的同時,在單晶硅基板上形成更高品質(zhì)的非晶硅膜的技術(shù)。從而可進一步減少正負電子的再結(jié)合損失,提高了太陽能電池的最大電壓。并且還可減少覆蓋單晶基板的非晶硅層等的光吸收損失,將光線有效引導(dǎo)到基板上。
同時,還改良了將所發(fā)電流集中提取到外部的表面電極,成功減少了電流在電極內(nèi)流動時的電阻損失。此次刷新最高值的單元面積為101.8平方厘米,厚度為98微米(0.098毫米)。
HIT太陽能電池采用結(jié)晶與非晶2種硅組合而成的混合結(jié)構(gòu),在作為發(fā)電層的單晶硅基板表面疊加非晶硅層,從而可減輕太陽能電池內(nèi)部產(chǎn)生的正負電子結(jié)合的再結(jié)合損失現(xiàn)象,通過抑制電流減少及電壓下降來提高太陽能電池的輸出。
此次確立了可在抑制基板表面損傷的同時,在單晶硅基板上形成更高品質(zhì)的非晶硅膜的技術(shù)。從而可進一步減少正負電子的再結(jié)合損失,提高了太陽能電池的最大電壓。并且還可減少覆蓋單晶基板的非晶硅層等的光吸收損失,將光線有效引導(dǎo)到基板上。
同時,還改良了將所發(fā)電流集中提取到外部的表面電極,成功減少了電流在電極內(nèi)流動時的電阻損失。此次刷新最高值的單元面積為101.8平方厘米,厚度為98微米(0.098毫米)。