基于有機(jī)分子的太陽能電池作為傳統(tǒng)高耗費(fèi)的單晶太陽能器件最具潛力的替代者,近年來受到了廣泛的關(guān)注。有機(jī)分子具有高消光系數(shù)、無毒、易合成、價格低等優(yōu)勢。目前這類電池有超過13%的能源轉(zhuǎn)化效率(50%太陽光照下)和較長時間的穩(wěn)定性。盡管大量實驗研究揭示了有機(jī)分子太陽能電池的各方面宏觀性質(zhì),如伏安特性、光譜、薄膜形態(tài)等,微觀尺度上有關(guān)有機(jī)分子界面結(jié)構(gòu)和能量轉(zhuǎn)化機(jī)制的圖像仍然欠缺。這阻礙了人們進(jìn)一步提高太陽能電池性能。
中科院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實驗室(籌)表面實驗室博士生焦揚(yáng)、張帆、丁子敬和孟勝研究員等最近對基于有機(jī)分子的太陽能電池機(jī)理作了細(xì)致的理論和實驗研究。使用包含激發(fā)態(tài)信息的含時密度泛函理論模擬,他們發(fā)現(xiàn)在TiO2界面上分子的能級受界面化學(xué)鍵的振動所調(diào)制,從而直接影響激發(fā)態(tài)電子向半導(dǎo)體注入的動力學(xué)過程和效率【Phys. Chem. Chem. Phys. 13, 13196(2011)】。
接著,他們和清華大學(xué)任俊博士、哈佛大學(xué)E. Kaxiras教授合作,分析了有機(jī)太陽能的典型界面C60/CuPc的原子結(jié)構(gòu)和電子耦合。他們發(fā)現(xiàn),界面處不同的分子排列方式(水平或垂直)對太陽光吸收性能影響不大,但對于電子能級排布卻有重要作用。其中水平排列的C60/CuPc界面兩層的分子能級更為接近,比垂直排列界面提供高出0.3 V左右的電壓。這對于提高太陽能轉(zhuǎn)化效率有著重要影響。結(jié)果發(fā)表在【Nano Research 5, 248(2012)】。
他們進(jìn)一步研究了不含金屬的純有機(jī)分子在TiO2界面上的原子結(jié)構(gòu)對形成的有機(jī)染料太陽能電池效率的影響。這類分子一般采納Donor-π-Acceptor的結(jié)構(gòu),大多通過氰基丙烯(cyanoacrylic)基團(tuán)與表面結(jié)合。雖然這一類分子得到極為廣泛的應(yīng)用,但其吸附結(jié)構(gòu)并不清楚。此前人們普遍認(rèn)為這一類有機(jī)染料與傳統(tǒng)釕復(fù)合物染料類似,只通過羧基吸附在TiO2表面?;诘谝恍栽矸肿觿恿W(xué)和含時密度泛函理論計算,焦揚(yáng)等與瑞士聯(lián)邦理工Michael Graetzel教授合作研究了含氰基丙烯基團(tuán)的有機(jī)分子在銳鈦礦TiO2(101)表面的吸附和電子動力學(xué)(圖1)。通過對動力學(xué)模擬得到的振動譜的詳細(xì)分析和與實驗得到的紅外吸收譜的比較(圖2),他們發(fā)現(xiàn)氰基和羧基共同參與表面吸附,該吸附構(gòu)型非常有利于太陽能源轉(zhuǎn)化。
計算結(jié)果表明,這種新提出的通過氰基和羧基共吸附、含有Ti-N鍵的表面構(gòu)型在能量上最穩(wěn)定(圖1)。這改變了人們的普遍認(rèn)識:氰基在吸附中起到關(guān)鍵作用,它對界面穩(wěn)定性、電化學(xué)性質(zhì)的影響往往被忽視。通過電子結(jié)構(gòu)計算和激發(fā)態(tài)電子動力學(xué)模擬,他們進(jìn)一步研究了這種新提出的吸附構(gòu)型中染料分子和表面的電子耦合、能級相對位置,以及它們對太陽能電池電壓及電流的影響。光激發(fā)電子從染料分子向TiO2表面注入的動態(tài)過程表明,新構(gòu)型有利于電子的快速注入并有著高量子效率,在電子結(jié)構(gòu)上則更有利于產(chǎn)生較高的工作電壓(圖3),從而保證此類太陽能電池具有較高的能量轉(zhuǎn)化效率(~10%)。這些工作在原子尺度上建立了界面能源轉(zhuǎn)化機(jī)制中微觀結(jié)構(gòu)與宏觀性能的關(guān)系,對進(jìn)一步從微觀上調(diào)控、優(yōu)化和提高太陽能轉(zhuǎn)化效率提供了新的辦法。相關(guān)結(jié)果發(fā)表在【Advanced Functional Materials,DOI: 10.1002/adfm.201201831】上。
上述研究工作得到了國家自然科學(xué)基金委、科技部和中國科學(xué)院百人計劃項目的支持。
圖1 有機(jī)分子在TiO2表面的不同吸附構(gòu)型。第一行(從左至右分別為Ia,Ib,Ic構(gòu)型):有Ti-N鍵的吸附構(gòu)型;第二行(IIa, IIB, IIc構(gòu)型):不含有Ti-N鍵的吸附構(gòu)型。右上角為新發(fā)現(xiàn)、最穩(wěn)定的構(gòu)型。
圖2 實驗和理論計算所得到的吸附結(jié)構(gòu)的振動譜。Ic構(gòu)型和實驗符合很好。
圖3 左圖:不同構(gòu)型和開路電壓的關(guān)系。橫坐標(biāo)是該構(gòu)型的界面二極矩,縱坐標(biāo)是分子激發(fā)能級和導(dǎo)帶低的差ΔE。ΔE越小開路電壓越大。穩(wěn)定構(gòu)型中Ic電壓較大。右圖:不同構(gòu)型的電子注入動力學(xué)。實線是基于含時密度泛函理論的電子-離子耦合的分子動力學(xué)的模擬結(jié)果,虛線是對模擬數(shù)據(jù)的指數(shù)擬合。Ic有較快的注入時間和較高的量子產(chǎn)率。