浙江中科院應(yīng)用技術(shù)研究院嘉興微電子設(shè)備與儀器工程中心夏洋帶領(lǐng)的微電子儀器與設(shè)備創(chuàng)新團(tuán)隊(duì),在晶硅太陽能電池表面鈍化技術(shù)的研究中取得新進(jìn)展。該創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)利用自主設(shè)計(jì)生產(chǎn)的KMT-200A型原子層沉積設(shè)備,在p型單晶硅片上生長氧化鋁鈍化層,退火后平均少子壽命可達(dá)1ms,有效減少了硅片表面復(fù)合,具有優(yōu)秀的表面鈍化效果。
目前,微電子儀器與設(shè)備創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)以技術(shù)優(yōu)勢,吸引美國硅谷研究團(tuán)隊(duì)來嘉興開展原子層技術(shù)合作,強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,加快了國內(nèi)開發(fā)原子層沉積設(shè)備的研制和在嘉興市的產(chǎn)業(yè)化,推出了一系列的擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和創(chuàng)新的原子層沉積設(shè)備產(chǎn)品,包括熱型設(shè)備、等離子體增強(qiáng)型設(shè)備和適于光伏產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的批量型設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)原子層沉積設(shè)備在光伏產(chǎn)業(yè)首創(chuàng)應(yīng)用的新局面,為下一代高效晶硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了國產(chǎn)化設(shè)備支撐。
原子層沉積技術(shù)是一種有序的氣相薄膜生長技術(shù),具有良好的保形性、均勻性和高的臺階覆蓋率,通過原子層沉積氧化鋁薄膜對硅片表面進(jìn)行鈍化,可以大幅度提高太陽能電池效率,被業(yè)界普遍認(rèn)為是未來新一代晶硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展的重要趨勢。
目前,微電子儀器與設(shè)備創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)以技術(shù)優(yōu)勢,吸引美國硅谷研究團(tuán)隊(duì)來嘉興開展原子層技術(shù)合作,強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,加快了國內(nèi)開發(fā)原子層沉積設(shè)備的研制和在嘉興市的產(chǎn)業(yè)化,推出了一系列的擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和創(chuàng)新的原子層沉積設(shè)備產(chǎn)品,包括熱型設(shè)備、等離子體增強(qiáng)型設(shè)備和適于光伏產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的批量型設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)原子層沉積設(shè)備在光伏產(chǎn)業(yè)首創(chuàng)應(yīng)用的新局面,為下一代高效晶硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了國產(chǎn)化設(shè)備支撐。
原子層沉積技術(shù)是一種有序的氣相薄膜生長技術(shù),具有良好的保形性、均勻性和高的臺階覆蓋率,通過原子層沉積氧化鋁薄膜對硅片表面進(jìn)行鈍化,可以大幅度提高太陽能電池效率,被業(yè)界普遍認(rèn)為是未來新一代晶硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展的重要趨勢。