2012年6月8日，《采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試方法》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)啟動(dòng)會(huì)在無(wú)錫市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心六樓視頻會(huì)議室召開(kāi)。來(lái)自中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、北京有色金屬研究總院、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、中科院上海硅酸鹽研究所、中科院福建物構(gòu)所、國(guó)家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)檢中心、江西賽維LDK、埃文思分析集團(tuán)、國(guó)家太陽(yáng)能光伏質(zhì)檢中心（CPVT）等單位的專家和領(lǐng)導(dǎo)出席了會(huì)議。

　　該標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口管理，由國(guó)家太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心（CPVT）負(fù)責(zé)起草。標(biāo)準(zhǔn)參考SEMI PV1-0309標(biāo)準(zhǔn)并充分結(jié)合了我國(guó)采用高分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的實(shí)際情況，于2012年5月完成了標(biāo)準(zhǔn)的草案。

　　本次會(huì)議由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)馮亞斌專員主持，國(guó)家光伏質(zhì)檢中心（CPVT）何莉、姚鳳花、周瀅等作為該標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的制訂情況作了相關(guān)的說(shuō)明與介紹。與會(huì)專家對(duì)標(biāo)準(zhǔn)草案進(jìn)行了充分討論，對(duì)草案的個(gè)別條款提出了修改意見(jiàn)，并最終達(dá)成共識(shí)。在各位專家的共同努力下，形成了該標(biāo)準(zhǔn)的討論稿。

　　據(jù)有關(guān)專家介紹，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的制訂，將為太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試建立一個(gè)準(zhǔn)確、便捷、高效的方法，填補(bǔ)行業(yè)空白。