中國(guó)的光伏制造產(chǎn)業(yè)正在朝著技術(shù)密集型的方向發(fā)展升級(jí)，規(guī)模龐大且仍在持續(xù)擴(kuò)充的光伏技術(shù)骨干隊(duì)伍也在不斷朝著專業(yè)化的道路快速前進(jìn)。舉辦一個(gè)屬于中國(guó)的、同時(shí)也是屬于世界的國(guó)際一流光伏技術(shù)大會(huì)可謂大勢(shì)所趨，這正是中國(guó)國(guó)際光伏技術(shù)大會(huì)(CPTIC)的辦會(huì)宗旨。

本次大會(huì)將設(shè)大會(huì)主題演講、高端對(duì)話、主題分會(huì)等不同類型、不同側(cè)重、不同層次的交流環(huán)節(jié)。在高效的會(huì)議組織和執(zhí)行架構(gòu)下，在由行業(yè)領(lǐng)袖組成的國(guó)際顧問(wèn)委員會(huì)的指導(dǎo)下，在由國(guó)內(nèi)外頂級(jí)技術(shù)專家組成的國(guó)際性技術(shù)委員會(huì)的嚴(yán)格把關(guān)下，CPTIC每一個(gè)主題活動(dòng)的設(shè)計(jì)，每一個(gè)演講人的篩選都將以最高的標(biāo)準(zhǔn)貫徹執(zhí)行。會(huì)議內(nèi)容的技術(shù)領(lǐng)先性、客觀性和準(zhǔn)確性，將實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)先技術(shù)與中國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求的完美對(duì)接，帶給與會(huì)觀眾無(wú)以倫比的全新體驗(yàn)。

作者須知：

有意作者請(qǐng)于2012年10月30日前提交200-500字的摘要和約100字的個(gè)人簡(jiǎn)介。摘要必須使用網(wǎng)站上的模板清楚地描述論文性質(zhì)、范圍、內(nèi)容、組織、關(guān)鍵點(diǎn)和重要性。

演講稿需是非商業(yè)的原始稿，關(guān)注設(shè)計(jì)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)、方法、結(jié)構(gòu)、集成方案、材料或整個(gè)過(guò)程，而非個(gè)別公司產(chǎn)品的介紹。中國(guó)國(guó)際光伏技術(shù)大會(huì)委員會(huì)將嚴(yán)格審查論文摘要，選定演講嘉賓將在2012年11月30日前公布。

論文電子稿一般為三至六頁(yè)，需包含圖表、計(jì)劃數(shù)字和圖片，并通過(guò)SEMI網(wǎng)站提交，截至日期為2013年1月10日。英文演講材料上交截至日期為2013年2月10日。被采納的論文將發(fā)布在會(huì)議論文集中，SEMI將擁有該論文合作版權(quán)，有權(quán)重新發(fā)布，重新出售，并展示論文（提交的材料）的全部或部分。

2013中國(guó)國(guó)際光伏技術(shù)大會(huì)（CPTIC 2013）分會(huì)主題：

分會(huì)一—綠色能源，電網(wǎng)，政策與市場(chǎng)
- 綠色能源與環(huán)保
- 太陽(yáng)能電站與電網(wǎng)連接
- 智能電網(wǎng)，微電網(wǎng)和離網(wǎng)應(yīng)用
- 補(bǔ)貼機(jī)制的政策分析和趨勢(shì)
- 分區(qū)域、產(chǎn)業(yè)段和技術(shù)領(lǐng)域的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)
- 新興市場(chǎng)的前景

分會(huì)二—硅材料制造業(yè)
- 多晶硅材料的生產(chǎn)
- 冶金法、改良西門子法與流化床工藝
- 西門子法的生產(chǎn)和純化
- 氣體回收、再利用及副產(chǎn)品
- 工藝反應(yīng)堆和其他設(shè)備
- 物理法多晶硅—升級(jí)的冶金級(jí)硅

分會(huì)三—成晶與晶圓加工
- 晶體生長(zhǎng)方法和熱場(chǎng)設(shè)計(jì)
- 晶態(tài)、非晶態(tài)和混晶態(tài)結(jié)構(gòu)
- 摻雜與雜質(zhì)控制
- 硅片切割、拋光、清潔及新硅片切割技術(shù)
- 蝕刻、打磨、去應(yīng)力和清潔
- 防反光涂層、SiN及新的硅材料

分會(huì)四—太陽(yáng)能電池及組件工程
- 先進(jìn)的太陽(yáng)能電池工藝
- 高效率太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)
- 設(shè)備基準(zhǔn)和特征化
- 薄晶體硅太陽(yáng)能電池
- 晶體硅的體積和表面鈍化
- 晶體硅太陽(yáng)能電池的光管理
- 組件最優(yōu)設(shè)計(jì)與工程化

分會(huì)五—薄膜技術(shù)和可靠性
- 太陽(yáng)能電池組件可靠性（晶體硅，薄膜）
- 薄膜吸收層的沉積和表征
- 透明導(dǎo)體、緩沖層與背接觸
- 設(shè)備性能和建模/特征化
- 薄膜應(yīng)用中的最優(yōu)化和新興材料
- 先進(jìn)的工藝和過(guò)程控制
- 生產(chǎn)過(guò)程中的控制、性能及互聯(lián)

分會(huì)第六—新興的太陽(yáng)能技術(shù)
- 先進(jìn)的最優(yōu)光伏理念，永久消除平價(jià)上網(wǎng)的電價(jià)差
- 未來(lái)的光伏技術(shù)主題
- 新的光伏組件設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)，以提高效率和/或緩解硅厚度縮放挑戰(zhàn)
- 光伏應(yīng)用的新性材料，如有機(jī)、量子點(diǎn)、薄膜、硅太陽(yáng)能電池等
- 先進(jìn)的太陽(yáng)能電池器件物理與薄膜晶體管
- 先進(jìn)的高效率OPV材料、設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)
- 先進(jìn)的選擇性發(fā)射、接觸式設(shè)計(jì)、表面鈍化技術(shù)以及晶體硅電池工藝

詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.solarconchina.org/en/CPTIC/CallforPaper
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