一期15MW智能硅太陽(yáng)能薄膜電池項(xiàng)目已于2011年3月取得發(fā)改委的立項(xiàng)批文,環(huán)評(píng)及能評(píng)批文也均都已于3月和6月取得.最后一筆注冊(cè)資本金也于9月全部到位.上澎的主要股東一共有三家美國(guó)Capricon investment Group,青云創(chuàng)投,世界銀行下的International Finance Corporation。
“智能硅工藝”是上澎自有的技術(shù),其主要特點(diǎn)是在低廉的低純度的金屬硅上面生長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)薄膜,并成功制造出和以高純度多晶制造的電池轉(zhuǎn)換效率相近的電池,是這個(gè)技術(shù)領(lǐng)域里全世界取得如此高轉(zhuǎn)換效率的第一家企業(yè)。上澎所采用的金屬硅成本只有多晶硅成本的六分之一,有效光電轉(zhuǎn)換率達(dá)到與業(yè)界相當(dāng)。美國(guó)上澎現(xiàn)已在美國(guó)和上海以及嘉興都設(shè)有研發(fā)處,并在美國(guó),上海,香港都設(shè)有銷售中心。美國(guó)及嘉興的研發(fā)團(tuán)隊(duì)技術(shù)人員均來(lái)自世界各地著名的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體和太陽(yáng)能企業(yè),且均擁有博士及碩士學(xué)位。目前上澎的美國(guó)公司已經(jīng)接到美國(guó),印度電站的小批量訂單。上澎嘉興也接到了中國(guó)青海的小批量訂單。
就自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)來(lái)說(shuō),美國(guó)上澎早已在美國(guó)注冊(cè)申請(qǐng)了十多項(xiàng)專利,已經(jīng)獲得認(rèn)可的發(fā)明專利已有四個(gè),現(xiàn)都授權(quán)嘉興上澎使用。美國(guó)上澎也在11月拿到了世界認(rèn)可的TUV認(rèn)證。目前嘉興上澎正在小批量的試生產(chǎn),故生產(chǎn)出來(lái)的電池片已經(jīng)拿去做TUV認(rèn)證,會(huì)在明年二月拿到。嘉興上澎目前也同時(shí)抓緊在中國(guó)申請(qǐng)十多項(xiàng)的實(shí)用新型及發(fā)明型專利。
目前,世界市場(chǎng)占有率最高的太陽(yáng)能電池是單晶硅或多晶硅的晶體硅太陽(yáng)能電池,約占到市場(chǎng)整體的85%。此類太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率和耐用程度都比較穩(wěn)定可靠,但還是需要進(jìn)一步降低成本和提高效率。目前有部分企業(yè)正在做這方面的嘗試,但是晶體硅的生產(chǎn)是耗能的,且會(huì)有污染的排放問(wèn)題,就現(xiàn)今水平上來(lái)說(shuō)難以實(shí)現(xiàn)大幅度的改良。所以,開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)低污染低排放晶體硅的太陽(yáng)能電池是當(dāng)務(wù)之急。
上澎太陽(yáng)能的智能硅電池技術(shù)是在晶體硅的襯底上去成長(zhǎng)非晶硅的薄膜,既有晶體硅的效率優(yōu)勢(shì)且能達(dá)到非晶硅的減排低成本效果。目前太陽(yáng)能電池的發(fā)展趨勢(shì)朝向節(jié)能,減排,低成本,高效率的方向, 上澎太陽(yáng)能智能硅能達(dá)到此目標(biāo),而且已開(kāi)始在嘉興秀州開(kāi)發(fā)區(qū)設(shè)廠生產(chǎn)營(yíng)運(yùn)商業(yè)運(yùn)轉(zhuǎn)。
所以上澎的智能硅兼具了晶體硅與非晶硅兩者的優(yōu)點(diǎn):
1.與晶體硅相比
(1)原材料價(jià)格僅為普通多晶硅料的六分之一(上澎使用4N多晶硅料,非西門(mén)子法制造)。
(2)綠能的制程 (無(wú)SiCl4產(chǎn)生, 能耗僅為西門(mén)子法的 1/5)。
(3)低溫制造(全程低于200C的工藝;完全不同于傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池所需使用850C高溫制程)。
2.與薄膜電池相比
(1)節(jié)能(省能耗)減排(無(wú) SiCL4 排放)的太陽(yáng)能電池工藝。
(2)專用開(kāi)發(fā)的薄膜, 僅需少量反應(yīng)生產(chǎn)的氣體(全部的薄膜厚度加總約為非晶硅電池的1/20, CH4使用量小)。
(3)啟用更為廉價(jià)硅料基板作為襯底和光的吸收。
(4)普通碲化鎘&銅銦鎵硒薄膜電池里面鎘是有毒,而碲比較稀有且有污染的疑慮.而上澎的智能硅薄膜電池完全不含這些重金屬,故完全沒(méi)有污染的疑慮。
“智能硅工藝”是上澎自有的技術(shù),其主要特點(diǎn)是在低廉的低純度的金屬硅上面生長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)薄膜,并成功制造出和以高純度多晶制造的電池轉(zhuǎn)換效率相近的電池,是這個(gè)技術(shù)領(lǐng)域里全世界取得如此高轉(zhuǎn)換效率的第一家企業(yè)。上澎所采用的金屬硅成本只有多晶硅成本的六分之一,有效光電轉(zhuǎn)換率達(dá)到與業(yè)界相當(dāng)。美國(guó)上澎現(xiàn)已在美國(guó)和上海以及嘉興都設(shè)有研發(fā)處,并在美國(guó),上海,香港都設(shè)有銷售中心。美國(guó)及嘉興的研發(fā)團(tuán)隊(duì)技術(shù)人員均來(lái)自世界各地著名的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體和太陽(yáng)能企業(yè),且均擁有博士及碩士學(xué)位。目前上澎的美國(guó)公司已經(jīng)接到美國(guó),印度電站的小批量訂單。上澎嘉興也接到了中國(guó)青海的小批量訂單。
就自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)來(lái)說(shuō),美國(guó)上澎早已在美國(guó)注冊(cè)申請(qǐng)了十多項(xiàng)專利,已經(jīng)獲得認(rèn)可的發(fā)明專利已有四個(gè),現(xiàn)都授權(quán)嘉興上澎使用。美國(guó)上澎也在11月拿到了世界認(rèn)可的TUV認(rèn)證。目前嘉興上澎正在小批量的試生產(chǎn),故生產(chǎn)出來(lái)的電池片已經(jīng)拿去做TUV認(rèn)證,會(huì)在明年二月拿到。嘉興上澎目前也同時(shí)抓緊在中國(guó)申請(qǐng)十多項(xiàng)的實(shí)用新型及發(fā)明型專利。
目前,世界市場(chǎng)占有率最高的太陽(yáng)能電池是單晶硅或多晶硅的晶體硅太陽(yáng)能電池,約占到市場(chǎng)整體的85%。此類太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率和耐用程度都比較穩(wěn)定可靠,但還是需要進(jìn)一步降低成本和提高效率。目前有部分企業(yè)正在做這方面的嘗試,但是晶體硅的生產(chǎn)是耗能的,且會(huì)有污染的排放問(wèn)題,就現(xiàn)今水平上來(lái)說(shuō)難以實(shí)現(xiàn)大幅度的改良。所以,開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)低污染低排放晶體硅的太陽(yáng)能電池是當(dāng)務(wù)之急。
上澎太陽(yáng)能的智能硅電池技術(shù)是在晶體硅的襯底上去成長(zhǎng)非晶硅的薄膜,既有晶體硅的效率優(yōu)勢(shì)且能達(dá)到非晶硅的減排低成本效果。目前太陽(yáng)能電池的發(fā)展趨勢(shì)朝向節(jié)能,減排,低成本,高效率的方向, 上澎太陽(yáng)能智能硅能達(dá)到此目標(biāo),而且已開(kāi)始在嘉興秀州開(kāi)發(fā)區(qū)設(shè)廠生產(chǎn)營(yíng)運(yùn)商業(yè)運(yùn)轉(zhuǎn)。
所以上澎的智能硅兼具了晶體硅與非晶硅兩者的優(yōu)點(diǎn):
1.與晶體硅相比
(1)原材料價(jià)格僅為普通多晶硅料的六分之一(上澎使用4N多晶硅料,非西門(mén)子法制造)。
(2)綠能的制程 (無(wú)SiCl4產(chǎn)生, 能耗僅為西門(mén)子法的 1/5)。
(3)低溫制造(全程低于200C的工藝;完全不同于傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池所需使用850C高溫制程)。
2.與薄膜電池相比
(1)節(jié)能(省能耗)減排(無(wú) SiCL4 排放)的太陽(yáng)能電池工藝。
(2)專用開(kāi)發(fā)的薄膜, 僅需少量反應(yīng)生產(chǎn)的氣體(全部的薄膜厚度加總約為非晶硅電池的1/20, CH4使用量小)。
(3)啟用更為廉價(jià)硅料基板作為襯底和光的吸收。
(4)普通碲化鎘&銅銦鎵硒薄膜電池里面鎘是有毒,而碲比較稀有且有污染的疑慮.而上澎的智能硅薄膜電池完全不含這些重金屬,故完全沒(méi)有污染的疑慮。