中環(huán)股份近日在天津召開新產(chǎn)品發(fā)布會,亮相的包括CFZ高效太陽能電池硅單晶、8英寸區(qū)熔硅單晶、<110>晶向直拉硅單晶三個新產(chǎn)品。比起目前太陽能行業(yè)普遍應(yīng)用的CZ(直拉)單晶硅聲場方法而言,CFZ方法具有更低成本、更高產(chǎn)品品質(zhì)的優(yōu)勢。公司表示,該項技術(shù)為中環(huán)股份自主研發(fā),目前只有中環(huán)股份掌握;CFZ生產(chǎn)出的更高品質(zhì)單晶硅,轉(zhuǎn)換效率高達24%-26%,高于目前行業(yè)平均17%-18%的轉(zhuǎn)換效率,進而可大幅度提升發(fā)電企業(yè)的經(jīng)濟效益。
而中環(huán)股份成功生長出國內(nèi)首顆8英寸區(qū)熔單晶,既打破了國外對該技術(shù)的封鎖,也提高了企業(yè)的競爭力,促進國內(nèi)以IGBT為代表的新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。公司預(yù)計2012年底,8英寸區(qū)熔硅單晶片生產(chǎn)規(guī)模將達到5000片/月以上。據(jù)了解,中環(huán)股份在區(qū)熔單晶產(chǎn)業(yè)排名全球第三,國內(nèi)市場份額超過75%,國際市場占有率達到12%;半導(dǎo)體直拉單晶及硅片技術(shù)和產(chǎn)銷規(guī)模方面名列國內(nèi)前三。
而中環(huán)股份成功生長出國內(nèi)首顆8英寸區(qū)熔單晶,既打破了國外對該技術(shù)的封鎖,也提高了企業(yè)的競爭力,促進國內(nèi)以IGBT為代表的新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。公司預(yù)計2012年底,8英寸區(qū)熔硅單晶片生產(chǎn)規(guī)模將達到5000片/月以上。據(jù)了解,中環(huán)股份在區(qū)熔單晶產(chǎn)業(yè)排名全球第三,國內(nèi)市場份額超過75%,國際市場占有率達到12%;半導(dǎo)體直拉單晶及硅片技術(shù)和產(chǎn)銷規(guī)模方面名列國內(nèi)前三。