據(jù)了解，與浸漬工藝相比，第二代VITRUM技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同質(zhì)、可靠、可重現(xiàn)的蝕刻。同時(shí)該技術(shù)與浸漬池相比還具有其他優(yōu)勢(shì)，如較高的蝕刻長(zhǎng)度和濃度、高達(dá)每分鐘5米的較快的處理速度和最小的結(jié)轉(zhuǎn)等。

第二代VITRUM技術(shù)可在單步操作中同時(shí)對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池的背面和邊緣進(jìn)行清潔。除了可對(duì)工藝進(jìn)行自動(dòng)控制外，新款的單步蝕刻工具可保護(hù)活躍層不受工藝煙罩的損害，并通過刷子和化學(xué)原料等進(jìn)行蝕刻。第二代VITRUM技術(shù)據(jù)稱是目前市場(chǎng)上唯一的一款設(shè)備可在單步操作中同時(shí)對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池的背面和邊緣進(jìn)行清潔，而不對(duì)活躍層造成任何傷害。該技術(shù)可用在烘箱工藝之后的清潔流程中，以及對(duì)被表面和邊緣的多余CdTe和CdS鍍膜進(jìn)行蝕刻。第二代VITRUM技術(shù)可為多種不同技術(shù)提供平臺(tái)，在CdTe加工過程中，第二代VITRUM技術(shù)可實(shí)現(xiàn)六步工藝，包括玻璃清洗、背板CdTe清潔，使用滾軸進(jìn)行的CdCl2沉積和玻璃清洗的除鹽。當(dāng)生產(chǎn)非晶硅和多晶硅或者CIS/CIGS電池時(shí)，VITRUM技術(shù)可分別用于玻璃清洗，以及透明導(dǎo)電氧化物的蝕刻、KCN的蝕刻或NH3的處理等。此外，該技術(shù)還可在大小高達(dá)2200的NP、DAE和EDTA的基底上進(jìn)行蝕刻工藝。該技術(shù)可應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能組件的濕法化學(xué)工藝中。

第二代VITRUM技術(shù)的新式設(shè)計(jì)改善了在大型安裝系統(tǒng)中的維護(hù)工作。管道設(shè)計(jì)與所有其他的液體電路相類似。同時(shí)，該技術(shù)還具有較高的可循環(huán)率，并極易與現(xiàn)有生產(chǎn)線相集成。