產(chǎn)業(yè)調(diào)查機(jī)構(gòu)Strategy Analytics指出,對于開發(fā)化石燃料以外的替代能源需求益發(fā)殷切,催生了地面太陽能(terrestrial photovoltaic)的快速發(fā)展,而其中的高聚光型太陽能(High Concentration Photovoltaic, HCPV)技術(shù),更是為III -V族化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打開了新的機(jī)會。根據(jù)Strategy Analytics的預(yù)估,從今年到2016年的未來5年內(nèi),HCPV產(chǎn)業(yè)規(guī)模將維持75%的年復(fù)合成長率,瓜分目前以矽晶為主的太陽能市場。
Strategy Analytics指出,今年全球的地面太陽能市場總產(chǎn)值估逾800億美元,而傳統(tǒng)以矽晶為基礎(chǔ)(Si-based)的產(chǎn)品仍是最主流的技術(shù),占地面太陽能產(chǎn)業(yè)總值約82%。根據(jù)Strategy Analytics的預(yù)估,到2016年全球地面太陽能市場將達(dá)到1000億美元規(guī)模,等于約以10%的年復(fù)合成長率穩(wěn)健向上。
然而值得注意的是,Strategy Analytics認(rèn)為??,目前被矽晶技術(shù)宰制的市場現(xiàn)況,將面臨以砷化鎵(GaAs)材料為主的化合物半導(dǎo)體技術(shù)、以及薄膜(Thin film)半導(dǎo)體的強(qiáng)勁挑戰(zhàn),到了2016年,矽晶技術(shù)占地面太陽能市場總產(chǎn)值的比重,將從目前的82%下滑到約74%。
相較之下,根據(jù)Strategy Analytics的預(yù)估,2016年時(shí)HCPV太陽能技術(shù)占地面太陽能產(chǎn)業(yè)的總值,將從目前僅不到1%快速拉抬到近5%,相當(dāng)于75%的年復(fù)合成長率。
Strategy Analytics指出,盡管III-V族HCPV技術(shù)在提升光電轉(zhuǎn)換效率方面展現(xiàn)了較矽晶更優(yōu)越的競爭力,長久以來卻因?yàn)閱挝话l(fā)電成本高昂等因素,而導(dǎo)致裝機(jī)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于矽晶太陽能系統(tǒng)。隨著III-V族HCPV廠商成功建立技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈,成本已獲得大幅度的控制,HCPV與矽晶的單位發(fā)電成本差距正在急速縮小。
砷化鎵(GaAs)對于太陽光頻譜反應(yīng)度高,使其擁有高達(dá)70%以上的理論光電轉(zhuǎn)換效率,在實(shí)驗(yàn)室中的轉(zhuǎn)換效率達(dá)50%,而商業(yè)量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率也已近40%左右,是目前的HCPV主要材料技術(shù)。
目前包括美國、日本都有大規(guī)模建置HCPV電廠的計(jì)畫,以美國來看,裝設(shè)中的HCPV電廠就有逾300MW(百萬瓦)產(chǎn)能,到2013年更將擴(kuò)充到1GW(10億瓦);而日本則規(guī)劃在2015年前設(shè)置22座全太陽能電廠,由于HCPV技術(shù)需要土地面積較小,對于地狹人稠的日本而言,將是相當(dāng)有效益的解決方案。
Strategy Analytics指出,今年全球的地面太陽能市場總產(chǎn)值估逾800億美元,而傳統(tǒng)以矽晶為基礎(chǔ)(Si-based)的產(chǎn)品仍是最主流的技術(shù),占地面太陽能產(chǎn)業(yè)總值約82%。根據(jù)Strategy Analytics的預(yù)估,到2016年全球地面太陽能市場將達(dá)到1000億美元規(guī)模,等于約以10%的年復(fù)合成長率穩(wěn)健向上。
然而值得注意的是,Strategy Analytics認(rèn)為??,目前被矽晶技術(shù)宰制的市場現(xiàn)況,將面臨以砷化鎵(GaAs)材料為主的化合物半導(dǎo)體技術(shù)、以及薄膜(Thin film)半導(dǎo)體的強(qiáng)勁挑戰(zhàn),到了2016年,矽晶技術(shù)占地面太陽能市場總產(chǎn)值的比重,將從目前的82%下滑到約74%。
相較之下,根據(jù)Strategy Analytics的預(yù)估,2016年時(shí)HCPV太陽能技術(shù)占地面太陽能產(chǎn)業(yè)的總值,將從目前僅不到1%快速拉抬到近5%,相當(dāng)于75%的年復(fù)合成長率。
Strategy Analytics指出,盡管III-V族HCPV技術(shù)在提升光電轉(zhuǎn)換效率方面展現(xiàn)了較矽晶更優(yōu)越的競爭力,長久以來卻因?yàn)閱挝话l(fā)電成本高昂等因素,而導(dǎo)致裝機(jī)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于矽晶太陽能系統(tǒng)。隨著III-V族HCPV廠商成功建立技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈,成本已獲得大幅度的控制,HCPV與矽晶的單位發(fā)電成本差距正在急速縮小。
砷化鎵(GaAs)對于太陽光頻譜反應(yīng)度高,使其擁有高達(dá)70%以上的理論光電轉(zhuǎn)換效率,在實(shí)驗(yàn)室中的轉(zhuǎn)換效率達(dá)50%,而商業(yè)量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率也已近40%左右,是目前的HCPV主要材料技術(shù)。
目前包括美國、日本都有大規(guī)模建置HCPV電廠的計(jì)畫,以美國來看,裝設(shè)中的HCPV電廠就有逾300MW(百萬瓦)產(chǎn)能,到2013年更將擴(kuò)充到1GW(10億瓦);而日本則規(guī)劃在2015年前設(shè)置22座全太陽能電廠,由于HCPV技術(shù)需要土地面積較小,對于地狹人稠的日本而言,將是相當(dāng)有效益的解決方案。