如果效率和成本目標(biāo)能夠?qū)崿F(xiàn)，薄膜晶體硅太陽(yáng)能電池有潛力替代目前在光伏市場(chǎng)上占主導(dǎo)地位的多晶硅太陽(yáng)能電池。

　　目前在工業(yè)上，硅的成本大約占硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)成本的一半。為減少硅的消耗量，光伏（PV）產(chǎn)業(yè)正期待著一些處于研究開發(fā)中的選擇方案。其中最顯然的一種就是轉(zhuǎn)向更薄的硅襯底?，F(xiàn)在，用于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的硅襯底厚度略大于200mm，而襯底厚度略小于100mm的技術(shù)正在開發(fā)中。為使硅有源層薄至5-20 mm，可以在成本較低的硅襯底上淀積硅有源層，這樣制得的電池被稱為薄膜晶體硅太陽(yáng)能電池。為使其具有工業(yè)可行性，主要的挑戰(zhàn)是在適于大規(guī)模生產(chǎn)的工藝中，怎樣找到提高效率和降低成本之間的理想平衡。已經(jīng)存在幾種制造硅有源層的技術(shù)1，本文將討論其中的三種。

　　薄膜PV基礎(chǔ)

　　第一種技術(shù)是制作外延（epitaxial）薄膜太陽(yáng)能電池（圖1），從高摻雜的晶體硅片（例如優(yōu)級(jí)冶金硅或廢料）開始，然后利用化學(xué)氣相淀積（CVD）方法來(lái)淀積外延層。除成本和可用性等優(yōu)勢(shì)以外，這種方法還可以使硅太陽(yáng)能電池從基于硅片的技術(shù)逐漸過(guò)渡到薄膜技術(shù)。由于具有與傳統(tǒng)體硅工藝類似的工藝過(guò)程，與其它的薄膜技術(shù)相比，這種技術(shù)更容易在
現(xiàn)有工藝線上實(shí)現(xiàn)。

　　第二種是基于層轉(zhuǎn)移（layer transfer）的薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)，它在多孔硅薄膜上外延淀積單晶硅層，從而可以在工藝中的某一點(diǎn)將單晶硅層從襯底上分離下來(lái)。這種技術(shù)的思路是多次重復(fù)利用母襯底，從而使每個(gè)太陽(yáng)能電池的最終硅片成本很低。正在研究中的一種有趣的選擇方案是在外延之前就分離出多孔硅薄膜，并嘗試無(wú)支撐薄膜工藝的可能性。

　　最后一種是薄膜多晶硅太陽(yáng)能電池，即將一層厚度只有幾微米的晶體硅淀積在便宜的異質(zhì)襯底上，比如陶瓷（圖2）或高溫玻璃等。晶粒尺寸在1-100mm之間的多晶硅薄膜是一種很好的選擇。我們已經(jīng)證實(shí)，利用非晶硅的鋁誘導(dǎo)晶化可以獲得高質(zhì)量的多晶硅太陽(yáng)能電池。這種工藝可以獲得平均晶粒尺寸約為5 mm的很薄的多晶硅層。接著利用生長(zhǎng)速率超過(guò)1 mm/min的高溫CVD技術(shù)，將種子層外延生長(zhǎng)成幾微米厚的吸收層，襯底為陶瓷氧化鋁或玻璃陶瓷。選擇熱CVD是因?yàn)樗纳L(zhǎng)速率高，而且可以獲得高質(zhì)量的晶體。然而這樣的選擇卻限定了只能使用陶瓷等耐熱襯底材料。這項(xiàng)技術(shù)還不像其它薄膜技術(shù)那樣成熟，但已經(jīng)表現(xiàn)出使成本降低的巨大潛力。

　　采用薄膜PV技術(shù)已經(jīng)能夠提高太陽(yáng)能電池的效率或簡(jiǎn)化其工藝，并將降低其成本。但目前還沒(méi)有人能夠同時(shí)將這兩方面結(jié)合起來(lái)。然而，最近的一些研究結(jié)果已經(jīng)在正確的方向上又前進(jìn)了必要的一步。

　　外延電池的改進(jìn)

　　外延薄膜硅太陽(yáng)能電池的效率不算太高（半工業(yè)化絲網(wǎng)印刷技術(shù)制作的電池約為12%），這限制了光伏業(yè)界對(duì)這種電池類型的關(guān)注程度。它可以獲得與體硅太陽(yáng)能電池相當(dāng)?shù)拈_路電壓和填充因子（單晶硅太陽(yáng)能電池為±77.8%）。然而，短路電流（Jsc ）受限于薄的光學(xué)有源層（<20mm）。穿透外延層的光會(huì)被高摻雜、低質(zhì)量的襯底收集而損失掉。因此，這兩種太陽(yáng)能電池技術(shù)之間的短路電流相差7 mA/cm2并不少見。體硅太陽(yáng)能電池的Jsc典型值約為33 mA/cm2，而外延薄膜電池的平均值約為26 mA/cm2。

　　然而，兩項(xiàng)獨(dú)立的電池級(jí)開發(fā)成果已經(jīng)使這種狀況有所改善2。通過(guò)增大薄的有源層內(nèi)的光程長(zhǎng)度，我們報(bào)導(dǎo)的絲網(wǎng)印刷外延電池的Jsc達(dá)到30 mA/cm2，效率達(dá)到13.8%。

　　對(duì)這些結(jié)果有貢獻(xiàn)的第一項(xiàng)改進(jìn)是采用氟基等離子體粗糙處理得到的表面光散射（圖3）。理想情況下，這種經(jīng)過(guò)粗糙處理的有源層表面會(huì)使光100%地漫射（即Lambertian折射器）。這使得光子能夠以60°的平均角穿過(guò)有源層，使光程長(zhǎng)度增大為原來(lái)的2倍。換而言之，使20 mm薄層的光學(xué)表現(xiàn)相當(dāng)于40mm厚的有源層。我們發(fā)現(xiàn)，通過(guò)去除僅僅1.75 mm的硅就可以獲得這種全光散射。等離子體粗糙處理的優(yōu)點(diǎn)很多，包括更低的反射（從粗糙處理之前的35%下降到10%）、斜入射光耦合和更低的接觸電阻（因?yàn)楣枰r底和銀電極之間的接觸面積更大）。我們觀察到1.0-1.5的Jsc絕對(duì)增長(zhǎng)，而效率增加0.5-1.0%。

　　第二項(xiàng)改進(jìn)是通過(guò)引入多孔硅布拉格反射器來(lái)進(jìn)行內(nèi)部光捕獲。為了降低長(zhǎng)波長(zhǎng)的光進(jìn)入到襯底的透射，在襯底和外延層之間的界面上放置一個(gè)中間反射器。這樣一來(lái)，到達(dá)該界面的光子就會(huì)被反射而第二次穿過(guò)有源層。由于光在進(jìn)入電池的瞬間就開始漫射（這是由等離體粗糙處理的Lambertian特性所決定的），很大比例的光子會(huì)以大于逃逸角的角度打在前表面上。因此，大部分的光子會(huì)再次向內(nèi)反射而第三次穿過(guò)有源層。這種情況不斷地重復(fù)，使得光子